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鎵特半導(dǎo)體取得一種HVPE大尺寸氮化鎵晶圓鎵舟反應(yīng)器專利，能夠提升氮化鎵晶圓片生長尺寸

采用金屬有機化學(xué)氣相沉積原位脈沖鋁原子輔助法生長的（001）β-Ga2O3外延層

鎵仁半導(dǎo)體氧化鎵單晶生長突破性成果在晶體領(lǐng)域頂刊Crystal Growth & Design上發(fā)表

浙江材孜科技取得碳化硅單晶生長裝置專利，有利于生長空間的穩(wěn)定性

鄭州勢壘取得用于金剛石生長的 MPCVD 裝置專利，能有效隔離外界空氣維持真空工作環(huán)境

南京集芯光電取得一種氮化鎵生長加熱爐專利，解決氮化鎵采取和附著問題，提高產(chǎn)量

鎵和半導(dǎo)體李山：氧化鎵PECVD外延生長及光電信息感知器件研究

中微公司陳丹瑩：PRISMO PDS8–用于SiC功率器件外延生長的CVD設(shè)備 |?IFWS&SSLCHINA2024

杭州鎵仁半導(dǎo)體實現(xiàn)直拉法2英寸N型氧化鎵單晶生長

廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)取得交流電阻加熱器及SiC單晶生長裝置專利，提高晶體生長速度且有助于4H?SiC晶型穩(wěn)定

【IFWS2024】碳化硅襯底、外延生長及其相關(guān)設(shè)備技術(shù)分會日程公布

長光華芯“半導(dǎo)體材料生長速率的測試方法”專利獲授權(quán)

IFWS2024：氮化物襯底、外延生長及其相關(guān)設(shè)備技術(shù)分會日程出爐

鎵仁半導(dǎo)體：鑄造法成功生長超厚6英寸氧化鎵單晶！

標(biāo)準(zhǔn) | 碳化硅單晶生長用等靜壓石墨等2項技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)形成委員會草案

江蘇集芯申請大尺寸碳化硅晶體生長坩堝及生長裝置專利，保證晶體中心位置和外側(cè)邊緣的生長速率相一致

長宇科技取得一項外延生長基盤用高均質(zhì)性特種石墨材料的制備方法專利，能夠保持產(chǎn)品制備的穩(wěn)定性

富加鎵業(yè)年產(chǎn)10000片6英寸氧化鎵單晶及外延片生長線開工

河北同光半導(dǎo)體取得SiC專利，實現(xiàn)將源于生長區(qū)石墨件腐蝕引起的包裹物分布控制在晶體邊緣

瀚天天成“一種降低碳化硅外延片生長缺陷的方法及碳化硅襯底”專利獲授權(quán)

晶盛機電：12英寸硅減壓外延生長設(shè)備順利實現(xiàn)銷售出貨，ALD設(shè)備處于驗證階段

北方華創(chuàng)“碳化硅晶體生長裝置”專利公布

北京理工大學(xué)團隊在雜化范德華外延生長研究方向取得重要突破

標(biāo)準(zhǔn) | 賽邁科牽頭2項SiC單晶生長用等靜壓石墨標(biāo)準(zhǔn)征求意見

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CASICON晶體大會前瞻|北京化工大學(xué)張紀(jì)才:（11-22）AlN材料的HVPE生長及其二極管制備研究

CASICON晶體大會前瞻|西安交通大學(xué)王若錚：MPCVD法生長英寸級單晶金剛石的相關(guān)機理探討

晶盛機電：在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，先后成功研發(fā)8英寸及12英寸常壓硅外延生長設(shè)備并實現(xiàn)銷售

科學(xué)家提出傾斜臺階面外延生長菱方氮化硼單晶方法

厚度達100 mm! 碳化硅單晶生長取得新進展

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