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日程更新｜2025（中國?鶴壁）半導體光電產(chǎn)業(yè)研討會——半導體激光器的時代機遇

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科技專家走進校園推動科研與產(chǎn)業(yè)“同頻共振”

西電郝躍院士、西安交大周磊簜團隊與晟光硅研楊森協(xié)同攻關(guān)丨低溫超臨界流體處理在退化β相氧化鎵基二極管中恢復與增強電學性能的應用

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深圳平湖實驗室與西安理工大學合作在SiC光控晶體管研制方面取得新進展

立芯光電成功研發(fā)1940nm高功率半導體激光器芯片

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上海光機所硼摻雜金剛石研究獲新進展

東微半導體與晶湛半導體攜手推進12英寸氮化鎵（GaN）功率器件研發(fā)和應用

上海光機所在硼硅、硼鎢共摻金剛石的制備與性能研究方面取得新進展

會議通知｜2025（中國?鶴壁）半導體光電產(chǎn)業(yè)研討會——半導體激光器的時代機遇

中微公司成都研發(fā)及生產(chǎn)基地暨西南總部項目正式開工

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|復旦大學田朋飛：面向空間引力波探測的深紫外micro-LED器件與可靠性研究

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|西安電子科技大學任澤陽：金剛石表面終端電導器件和散熱應用研究

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|北京大學鞠光旭：基于同步輻射X射線的OMVPE條件下 (In)GaN生長動力學原位研究

天成半導體成功研制12英寸高純半決絕緣單晶材料

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|瑞典隆德大學Anders GUSTASFSSON：用于RGB顯示器的微米級InGaN發(fā)光二極管高光譜陰極發(fā)光成像研究

中科院半導體所在高速光通信光頻梳研究方面取得新進展

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|韓國東義大學WON-JAE LEE：SiC晶體高質(zhì)量、低成本體生長研究進展

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|波蘭科學院高壓物理研究所Piotr Perlin：氮化物激光二極管-挑戰(zhàn)和解決方案

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|愛爾蘭丁達爾國家研究所李智：通過微轉(zhuǎn)印實現(xiàn)微型LED的高級集成

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|日本國立物質(zhì)材料研究所廖梅勇：n型溝道金剛石MOSFET的演示

中國科學院半導體所在高速直調(diào)半導體激光器研究方面取得新進展

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