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聞泰科技與清華大學(xué)成立工業(yè)與車規(guī)半導(dǎo)體芯片聯(lián)合
研
究中心
評(píng)論 ?
2022-01-10 16:58
辛丑年末|松山湖新生代科
研
平臺(tái)招募令
評(píng)論 ?
2022-01-10 16:00
露笑科技最新調(diào)
研
情況:公司6英寸碳化硅襯底晶片已形成銷售
評(píng)論 ?
2022-01-10 10:04
小米投資Micro-LED產(chǎn)品
研
發(fā)商思坦科技
評(píng)論 ?
2022-01-06 12:05
國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心
研
發(fā)與產(chǎn)業(yè)化基地開(kāi)工
國(guó)家
第三代半導(dǎo)體
技術(shù)創(chuàng)新中心
產(chǎn)業(yè)化基
蘇州納米城
評(píng)論 ?
2022-01-05 13:33
華微電子持續(xù)堅(jiān)持
研
發(fā)創(chuàng)新,助力我國(guó)向第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)強(qiáng)國(guó)邁進(jìn)
華微電子
SiC
封裝
快充
電力新能源
車載OBC
評(píng)論 ?
2022-01-05 13:32
毫米波雷達(dá)芯片
研
發(fā)商微度芯創(chuàng)完成超億元B輪融資
評(píng)論 ?
2021-12-31 10:50
江蘇第三代半導(dǎo)體
研
究院:推動(dòng)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力整體躍升
江蘇第三代半導(dǎo)體研究院
第三代半導(dǎo)體
技術(shù)創(chuàng)新中心
評(píng)論 ?
2021-12-29 16:14
華南理工大學(xué)李國(guó)強(qiáng)教授:可見(jiàn)光通信系統(tǒng)中核心元器件
研
究
評(píng)論 ?
2021-12-27 14:10
小米公布第三款自
研
芯片澎湃P1,兼顧120W快充+大電池
小米
第三款
自研芯片
澎湃P1
120W快充
大電池
評(píng)論 ?
2021-12-24 18:11
重慶郵電大學(xué)成功
研
發(fā)第三代半導(dǎo)體功率芯片
重慶郵電大學(xué)
成功研發(fā)
第三代
半導(dǎo)體
功率芯片
評(píng)論 ?
2021-12-24 15:16
北京大學(xué)物理學(xué)院教授于彤軍:大尺寸AlN單晶的同質(zhì)PVT生長(zhǎng)
研
究
評(píng)論 ?
2021-12-23 16:46
深圳大學(xué)物理與光電工程學(xué)院副院長(zhǎng)武紅磊:氮化鋁晶體PVT生長(zhǎng)裝置及技術(shù)
研
究
評(píng)論 ?
2021-12-23 16:44
中科院蘇州納米
研
究所司志偉:助熔劑法氮化鎵微碟不同極性面的光學(xué)性能
評(píng)論 ?
2021-12-23 16:38
日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合
研
究所沈旭強(qiáng):無(wú)氨高溫 MOCVD 生長(zhǎng)的高質(zhì)量極性和半極性氮化鋁
評(píng)論 ?
2021-12-23 16:29
中科院半導(dǎo)體
研
究所張逸韻:玻璃襯底氮化物異構(gòu)外延
評(píng)論 ?
2021-12-23 16:25
河北半導(dǎo)體
研
究所高楠:國(guó)產(chǎn)4英寸GaN襯底上MOCVD外延高質(zhì)量AlGaN/GaN HEMT材料
評(píng)論 ?
2021-12-23 16:16
中科院寧波材料技術(shù)與工程
研
究所陳荔:基于藍(lán)寶石襯底的半極性面AlN外延及高溫?zé)崽幚?span id="hb3l3b9" class="highlight">研究
評(píng)論 ?
2021-12-23 16:14
中科鋼
研
高純碳化硅粉和智能高端裝備制造項(xiàng)目開(kāi)工
評(píng)論 ?
2021-12-22 16:45
華東光電集成器件
研
究所展明浩:MEMS傳感器發(fā)展現(xiàn)狀及在自動(dòng)駕駛中的應(yīng)用
評(píng)論 ?
2021-12-16 17:49
上海電驅(qū)動(dòng)電控
研
究院院長(zhǎng)陳雷:功率半導(dǎo)體在新能源汽車電機(jī)控制器中的應(yīng)用
評(píng)論 ?
2021-12-16 17:33
中科院半導(dǎo)體
研
究所張連:亞毫米波段GaN基HEMT與選區(qū)外延技術(shù)
研
究
評(píng)論 ?
2021-12-14 14:47
南京電子器件
研
究所張凱:大功率GaN微波毫米波二極管及其創(chuàng)新應(yīng)用
評(píng)論 ?
2021-12-14 14:46
西安電子科技大學(xué)劉志宏:面向移動(dòng)SoC應(yīng)用的氮化鎵射頻器件
研
究進(jìn)展
評(píng)論 ?
2021-12-14 14:44
中電科第十三
研
究所梁士雄:基于氮化鎵肖特基二極管的高性能太赫茲倍頻器
評(píng)論 ?
2021-12-14 14:43
中國(guó)工程物理
研
究院微系統(tǒng)與太赫茲
研
究中心曾建平:寬頻段高效率單片集成GaN基SBD倍頻電路
研
究
評(píng)論 ?
2021-12-14 14:42
美國(guó)Analog設(shè)備張薇葭:基于直接鍵合工藝液冷散熱技術(shù)的緊湊型氮化鎵功率模塊設(shè)計(jì)及其熱學(xué)模型
研
究
評(píng)論 ?
2021-12-13 18:14
關(guān)于國(guó)家重點(diǎn)
研
發(fā)計(jì)劃“新型顯示與戰(zhàn)略性電子材料”重點(diǎn)專項(xiàng)2021年度公開(kāi)指南項(xiàng)目安排公示的通知
評(píng)論 ?
2021-12-13 17:12
北京大學(xué)物理學(xué)院楊學(xué)林:Si襯底上GaN基功率電子材料及器件
研
究
評(píng)論 ?
2021-12-13 11:52
西安電子科技大學(xué)王婷婷:基于金屬氮化物陽(yáng)極的凹槽雙陽(yáng)極SBD
研
究
評(píng)論 ?
2021-12-13 11:44
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