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南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院汪青：GaN器件及其系統(tǒng)的最新研究進展

深圳大學(xué)微電子研究院劉新科：2寸獨立晶圓上1.7 kV垂直GaN-on-GaN肖特基勢壘二極管

電子科技大學(xué)李曦：GaN HEMT功率器件的熱瞬態(tài)測試方法與機理研究

廈門大學(xué)黃凱：紫外光電器件中的極化激元和等離激元研究

港科技術(shù)（佛山）董國帥：峰值波長為 222nm 的遠(yuǎn)紫外線KrCl準(zhǔn)分子燈的活化能和壽命研究

中科院半導(dǎo)體所張逸韻：基于MOCVD生長的β-Ga2O3納米線晶體管及其日盲光電晶體管探測器研究

西安交通大學(xué)王艷豐：大面積單晶金剛石及場效應(yīng)晶體管的研究

鄭州大學(xué)劉玉懷：六方氮化硼薄膜在不同襯底上的生長研究綜述

鄭州大學(xué)Mussaab I. Niass：藍(lán)寶石襯底上BGaN基深紫外邊發(fā)射激光二極管的仿真研究

艾歐史密斯（中國）陳小波：紫外殺菌技術(shù)在凈水器中的應(yīng)用研究

哈爾濱工業(yè)大學(xué)趙麗麗：低成本碳化硅單晶材料產(chǎn)業(yè)化技術(shù)研究

復(fù)旦大學(xué)張園覽：基于P區(qū)反序摻雜策略的高效碳化硅結(jié)勢壘肖特基二極管的研究

中科院微電子所侯峰澤：高可靠功率系統(tǒng)集成的發(fā)展和挑戰(zhàn)

佛智芯副總經(jīng)理林挺宇：先進封裝大板扇出研發(fā)及功率器件封裝應(yīng)用

啟迪半導(dǎo)體研發(fā)總監(jiān)鈕應(yīng)喜：第三代半導(dǎo)體碳化硅器件產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)及進展

西安電子科技大學(xué)張藝蒙教授：SiC 功率MOSFET器件的可靠性研究

中電科48所鞏小亮：SiC功率器件制造工藝特點與核心裝備創(chuàng)新進展

芯導(dǎo)科技募資加強功率器件與IC研發(fā)，抓緊第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展機遇

南大光電獲22家機構(gòu)調(diào)研：公司深耕高純電子材料領(lǐng)域，圍繞“三大主業(yè)”和市場需求，持續(xù)加大研發(fā)投入

國星光電：公司Micro LED芯片實現(xiàn)小批量供貨已開展GaN功率器件研發(fā)工作

IFWS 2021：第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)與檢測研討會將于12月6日召開

IFWS 2021前瞻：中科院半導(dǎo)體研究所副所長張韻將出席射頻電子器件與應(yīng)用論壇

祝賀中科院半導(dǎo)體所鄭婉華、祝寧華兩位研究員當(dāng)選中國科學(xué)院院士

麻省理工研發(fā)出新型半導(dǎo)體材料

總投資3億元，閃速半導(dǎo)體擬在湘潭投建半導(dǎo)體封測、研發(fā)項目

中欣晶圓半導(dǎo)體材料研究院成立，以半導(dǎo)體硅材料技術(shù)工藝研發(fā)等為主方向

半導(dǎo)體所4項科研成果入選國家“十三五”科技創(chuàng)新成就展

盛美上海啟動招股擬募資18億元加碼高端半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)

中科大在日盲紫外探測領(lǐng)域取得新進展

北理工在鈣鈦礦晶體的消色差1/4波片特性研究方面取得突破進展

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