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北京大學電子學院魏賢龍課題組在二維氮化硼的介電強度研究中取得重要進展

中國科學院微電子所研發(fā)成功互補單晶硅垂直溝道晶體管（CVFET）

中國科學院微電子所在芯粒集成電遷移EDA工具研究方向取得重要進展

大金清研亮相半導體設備與核心部件及材料展，展示在地化先進半導體解決方案

中國科學院半導體研究所銻化物感應耦合等離子體（ICP）刻蝕系統(tǒng)采購項目延期公告

年產(chǎn)4000萬只光模塊，華工科技光電子研創(chuàng)園一期投產(chǎn)

牛津儀器 | 硅基芯片研發(fā)加速器：物性測量與顯微表征一站式服務

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鎵未來完成億元級B++輪融資，專注氮化鎵功率器件研發(fā)

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國際首發(fā)！深圳平湖實驗室研制8英寸4°傾角4H-SiC上高質量GaN外延

九峰山實驗室新型SiC Trench MOSFET科研級器件樣品發(fā)布！

2025年新增批次海外優(yōu)青：中國科學院半導體研究所誠邀您申報

搶占通信技術領域高地！<第三屆無線通信技術產(chǎn)業(yè)發(fā)展研討會> 9月深圳啟幕！報名通道開啟！

廣州粵升8英寸SiC外延設備完成研發(fā)并出貨

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