晶越半導體繼2025年上半年成功量產8英寸碳化硅襯底后，公司持續(xù)投入并不斷加大研發(fā)力度，并在熱場設計、籽晶粘接、厚度提升以及缺陷控制方面不斷調整和優(yōu)化工藝，在7月21日研制出高品質12英寸SiC晶錠，標志晶越成功進入12英寸SiC襯底梯隊。

在未來，晶越將持續(xù)投入研發(fā)、專注于打磨產品、提高良率和參數(shù)優(yōu)化，努力打造國內領先碳化硅材料提供商。

（來源：晶越半導體）