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蘇州納米所研制出氮化鎵光子晶體面發(fā)射激光器

“90后”科研團(tuán)隊(duì)勇闖化合物半導(dǎo)體“無人區(qū)”，9個(gè)月啃下“硬骨頭”

北京大學(xué)王新強(qiáng)、王平、王濤團(tuán)隊(duì)在纖鋅礦氮化物鐵電半導(dǎo)體研究上取得重要進(jìn)展

蔚來李斌：首款自研的5nm智駕芯片向全行業(yè)開放！

中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所在低維半導(dǎo)體偏振光探測方面取得系列進(jìn)展

研微半導(dǎo)體完成A輪首批數(shù)億元融資，累計(jì)融資額近10億

【年薪可達(dá)50萬】廈門大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體研究組2025年誠聘博士后（理論計(jì)算模擬方向）

國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“大尺寸氮化鎵單晶制備用高溫超高壓反應(yīng)釜設(shè)計(jì)制造技術(shù)”項(xiàng)目啟動暨實(shí)施方案論證會召開

中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所獲批“北京國際科技合作基地”

新增！芯特思半導(dǎo)體總部及研發(fā)制造基地項(xiàng)目

中國科學(xué)院半導(dǎo)體所集體導(dǎo)模共振手性激光器研發(fā)取得進(jìn)展

摩爾線程擬募資80億元投資多個(gè)芯片研發(fā)項(xiàng)目，IPO已獲受理

Wolfspeed與紐約州立大學(xué)理工學(xué)院加強(qiáng)教育研究合作，助力推動碳化硅技術(shù)創(chuàng)新發(fā)展

東京大學(xué)研發(fā)“摻鎵氧化銦晶體”取代硅材料

青島思銳智能半導(dǎo)體先進(jìn)裝備研發(fā)制造中心投產(chǎn)

[誠邀英才]新加坡科技研究局（A*STAR）微電子研究所（IME）功率半導(dǎo)體團(tuán)隊(duì)

雷電微力：研制低成本低剖面氮化鎵組件部分已量產(chǎn)

光谷簽約10個(gè)項(xiàng)目投資167億，將建設(shè)多個(gè)總部、研發(fā)中心涵蓋半導(dǎo)體等多個(gè)領(lǐng)域

總投資2.4億元上海良薇科拓森總部研發(fā)生產(chǎn)基地項(xiàng)目順利封頂

雷軍官宣：未來五年，核心技術(shù)研發(fā)再投入2000億元

總投資50億元芯慧聯(lián)集成電路工藝設(shè)備研發(fā)制造基地項(xiàng)目奠基

沈陽半導(dǎo)體‘六小虎’：芯源微、拓荊、富創(chuàng)、中科儀、和研、新松機(jī)器人！

長川科技擬定向增發(fā)募資31.32億元，用于半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)項(xiàng)目

中國科大微電子學(xué)院胡詣?wù)芙淌谡n題組在極低抖動高速鎖相環(huán)芯片研究中取得重要突破

突破芯片散熱瓶頸！天津大學(xué)團(tuán)隊(duì)研發(fā)全球最小高能效MEMS冷卻器

國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“氧化鎵單片功率電子集成器件研究”項(xiàng)目啟動會暨實(shí)施方案論證會成功召開

新突破！我國成功研發(fā)蚊子大小仿生機(jī)器人

譯碼半導(dǎo)體新一代集成電路研發(fā)生產(chǎn)總部基地項(xiàng)目正式奠基

南京大學(xué)團(tuán)隊(duì)在國際功率半導(dǎo)體會議ISPSD上發(fā)布兩項(xiàng)宇航用氮化鎵功率器件輻照效應(yīng)研究成果

科研成果| 硅基金剛石熱沉在GaN功率放大器中的應(yīng)用

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