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環(huán)球晶圓獲芯片法案4.06億美元補(bǔ)貼，將建設(shè)美國(guó)首座大批量300毫米硅晶圓工廠

上海積塔半導(dǎo)體申請(qǐng)檢測(cè)晶圓位置的專(zhuān)利，能夠確保后續(xù)晶圓環(huán)切等工藝順利進(jìn)行

浙江睿熙申請(qǐng) VCSEL 集成晶圓及其制造方法專(zhuān)利，實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)別集成

森國(guó)科申請(qǐng) MOSFET 結(jié)構(gòu)相關(guān)專(zhuān)利，降低飽和電流

上海燁映微電子申請(qǐng) GaN 晶體管與柵極驅(qū)動(dòng)器合封專(zhuān)利，實(shí)現(xiàn)高頻能力

杭州芯邁半導(dǎo)體技術(shù)申請(qǐng)一種功率開(kāi)關(guān)器件專(zhuān)利，提高了器件的功率密度

成都氮矽科技申請(qǐng) N 面增強(qiáng)型 GaN 雙向功率器件專(zhuān)利，提高器件的抗輻照能力

揚(yáng)杰電子申請(qǐng)?zhí)岣叻聪蚶m(xù)流的雙溝槽SiC MOSFET器件專(zhuān)利，改善溝槽MOSFET柵氧化層可靠性

上海積塔半導(dǎo)體申請(qǐng)?zhí)蓟杈w管結(jié)構(gòu)及其制備方法專(zhuān)利，有效降低器件VFSD

博世獲16億元補(bǔ)貼，將投138億元發(fā)力8英寸SiC芯片！

華虹半導(dǎo)體申請(qǐng)集成半導(dǎo)體器件及其制備方法專(zhuān)利，提高芯片整體抗EMI能力

總投資3億元，深矽微科技功率器件封裝生產(chǎn)基地項(xiàng)目首批設(shè)備正式進(jìn)場(chǎng)

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年產(chǎn)36萬(wàn)片，武漢一6寸碳化硅晶圓項(xiàng)目，首批設(shè)備搬入

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年產(chǎn)7萬(wàn)套，浙江能訊光電集成產(chǎn)品產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目即將開(kāi)工

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