國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，成都氮矽科技有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種 N 面增強(qiáng)型 GaN 雙向功率器件及其制備方法”的專利，公開號(hào) CN 119133228 A，申請(qǐng)日期為 2024 年 9 月。

專利摘要顯示，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N N 面增強(qiáng)型 GaN 雙向功率器件及其制備方法，包括襯底、AlN 成核層、緩沖層、C 摻雜 AlGaN 層、AlGaN 勢(shì)壘層、GaN 溝道層以及鈍化層，柵極金屬位于柵極區(qū)域并與 GaN 溝道層連接，第一漏極與第二漏極設(shè)置于柵極區(qū)域的兩側(cè)，第一漏極包括第一肖特基接觸金屬和與其連接的第一歐姆接觸金屬，第二漏極包括第二肖特基接觸金屬和與其連接的第二歐姆接觸金屬；第一肖特基接觸金屬與 AlGaN 勢(shì)壘層連接形成第肖特基接觸第歐姆接觸金屬與 GaN 溝道層連接形成第一歐姆接觸，第二肖特基接觸金屬與 AlGaN 勢(shì)壘層連接形成第二肖特基接觸，第二歐姆接觸金屬與 GaN 溝道層連接形成第二歐姆接觸，以提高器件的抗輻照能力。