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浙江睿熙申請 VCSEL 集成晶圓及其制造方法專利,實現(xiàn)晶圓級別集成

日期:2024-12-19 閱讀:262
核心提示:國家知識產(chǎn)權局信息顯示,浙江睿熙科技有限公司申請一項名為VCSEL 集成晶圓及其制造方法的專利,公開號 CN 119134035 A,申請日

 國家知識產(chǎn)權局信息顯示,浙江睿熙科技有限公司申請一項名為“VCSEL 集成晶圓及其制造方法”的專利,公開號 CN 119134035 A,申請日期為 2023 年 7 月。

專利摘要顯示,公開了一種 VCSEL 集成晶圓及其制造方法,其中,所述 VCSEL 集成晶圓包括:至少一 VCSEL 芯片、與所述 VCSEL 芯片相間隔的至少一光電二極管芯片,以及,在晶圓級別上集成于所述 VCSEL 芯片的熱電制冷結構,每一 VCSEL 芯片包括至少一 VCSEL 發(fā)光點;所述 VCSEL 芯片和所述光電二極管芯片共用襯底層;所述熱電制冷結構包括多個熱電偶對,每一熱電偶對包括相互電連接的 P 型結構和 N 型結構。

 

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