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GaN和SiC基功率半導(dǎo)體的寬帶隙技術(shù)

迎接GaN的市場(chǎng)！奧海科技GaN 30W/45W/65W產(chǎn)品均已進(jìn)入試產(chǎn)階段

奧?？萍迹?span id="3s2caud" class="highlight">GaN 30W/45W/65W產(chǎn)品均已進(jìn)入試產(chǎn)階段

小米11攜55W氮化鎵充電器全球上市，采用納微氮化鎵（GaN）功率芯片

【NAURA Power GO】日新奮進(jìn)，北方華創(chuàng)助力硅基GaN器件發(fā)展

2021年SiC/GaN功率器件營(yíng)收預(yù)測(cè)出爐！第三代半導(dǎo)體高速成長(zhǎng)

SiC和GaN功率半導(dǎo)體將并駕齊驅(qū)，國(guó)產(chǎn)替代將是未來(lái)發(fā)展方向

到2026年，RF GaN市場(chǎng)將以30.58％的復(fù)合年增長(zhǎng)率增長(zhǎng)至3.574億美元

傳蘋果正和激光雷達(dá)供應(yīng)商談判，或采用GaN?

GaN打破壁壘！RF功率放大器的帶寬越來(lái)越寬、功率越來(lái)越高

廈門大學(xué)聯(lián)合三安光電技術(shù)攻關(guān)，超8瓦大功率InGaN藍(lán)光激光器取得突破性成果

資本加速涌入SiC和GaN領(lǐng)域

沖擊1億出貨量！小米、蘋果帶火的GaN快充芯片產(chǎn)業(yè)鏈，哪些公司在快速崛起

氮化鎵和碳化硅功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將在2029年突破50億美元大關(guān)

積極布局第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，華微電子邁進(jìn)發(fā)展快車道

半導(dǎo)體材料中的法拉利：GaN沖向2021！

無(wú)懼高溫！日本研究開(kāi)發(fā)基于GaN的MEMS諧振器

SiC基GaN射頻器件：國(guó)防航天航空之利器

意法半導(dǎo)體推出了新系列雙非對(duì)稱氮化鎵（GaN）晶體管的首款產(chǎn)品

日本研發(fā)基于GaN的MEMS諧振器可用于車載應(yīng)用

在GaNVCSEL中實(shí)現(xiàn)單模工作

鎢觸點(diǎn)改善了 GaN 二極管

2021起或?qū)⑷娌捎?span id="xmdvgmu" class="highlight">GaN和SiC，化合物半導(dǎo)體起飛！

第三代半導(dǎo)體的藍(lán)海市場(chǎng)，玩家?guī)缀危?/a>

蘋果將推出 GaN 電源適配器？

第三代半導(dǎo)體氮化鎵GaN行業(yè)剖析：5G、快充、UVC助力行業(yè)潮起

士蘭微再獲補(bǔ)助，賽維電子擬對(duì)子公司增資，都因?yàn)榈墸?span id="uepj9uf" class="highlight">GaN）？

沙特阿拉伯阿卜杜拉國(guó)王科技大學(xué)Iman S. ROQAN：原位無(wú)位錯(cuò)多晶GaN層在寬范圍襯底上生長(zhǎng)高效率的無(wú)催化劑GaN納米線

中山大學(xué)黎城朗：凹槽深度對(duì)GaN槽柵型縱向?qū)ňw管電學(xué)特性的影響研究

電子科技大學(xué)教授周琦：基于超薄勢(shì)壘AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)與混合陽(yáng)極二極管技術(shù)的功率整流器與微波混頻器

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