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深圳平湖實(shí)驗(yàn)室100V GaN功率器件綜合性能達(dá)行業(yè)先進(jìn)水平

晶湛半導(dǎo)體5kV多通道雙向GaN功率器件實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵突破！

深圳平湖實(shí)驗(yàn)室8英寸1200 V增強(qiáng)型Si基GaN HEMT研發(fā)取得關(guān)鍵性突破

關(guān)鍵進(jìn)展！深圳平湖實(shí)驗(yàn)室高壓650V GaN功率器件綜合性能達(dá)國際先進(jìn)水平

半導(dǎo)體所、新疆理化所采用386nm近紫外GaN基激光器直接倍頻實(shí)現(xiàn)193nm深紫外激光

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電子科技大學(xué)在寬禁帶半導(dǎo)體GaN功率器件及其高效電力電子應(yīng)用研究領(lǐng)域取得研究進(jìn)展

晶湛半導(dǎo)體程凱：MOVPE GaN外延技術(shù)基礎(chǔ)

標(biāo)準(zhǔn) | 11項(xiàng)GaN/SiC功率器件標(biāo)準(zhǔn)修訂形成委員會(huì)草案

AlGaN基遠(yuǎn)紫外光源芯片發(fā)光效率增強(qiáng)關(guān)鍵技術(shù)研究——第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進(jìn)展成果推介

蘇州納米所孫錢團(tuán)隊(duì)在氮化鎵低壓射頻器件領(lǐng)域取得新進(jìn)展

深圳平湖實(shí)驗(yàn)室在低壓（15V-40V）GaN 功率器件領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展，器件綜合性能達(dá)國際先進(jìn)水平

AlGaN深紫外發(fā)光二極管光子輸運(yùn)行為研究和高效率器件研制

國產(chǎn)關(guān)鍵半導(dǎo)體，德清產(chǎn)！填補(bǔ)國內(nèi)空白！

中國科學(xué)院近代物理研究所胡培培：GaN材料及器件重離子輻照效應(yīng)研究進(jìn)展

報(bào)告前瞻|晶通半導(dǎo)體劉丹：可靠、高效、易用”的增強(qiáng)型氮化鎵驅(qū)動(dòng)EGaN Smart-Driver

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報(bào)告前瞻|中國科學(xué)院蘇州納米所劉建平：GaN激光芯片研究與產(chǎn)業(yè)化

英飛凌推出首款100V車規(guī)級(jí)晶體管，推動(dòng)汽車領(lǐng)域氮化鎵（GaN）技術(shù)創(chuàng)新

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|英國巴斯大學(xué)王望南：基于UVC和InGaN的紅光LED 的挑戰(zhàn)與最新進(jìn)展

東微半導(dǎo)：目前公司研發(fā)的GaN產(chǎn)品得以擴(kuò)容，正積極推進(jìn)客戶驗(yàn)證

安森美發(fā)布垂直氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體：為人工智能（AI）與電氣化領(lǐng)域帶來突破性技術(shù)

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機(jī)構(gòu)：十年內(nèi)車用SiC、GaN功率半導(dǎo)體市場規(guī)模將增長兩倍，至420億美元

東微半導(dǎo)體與晶湛半導(dǎo)體攜手推進(jìn)12英寸氮化鎵（GaN）功率器件研發(fā)和應(yīng)用

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IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)楊樹：GaN功率電子器件動(dòng)態(tài)性能提升與抗輻照加固技術(shù)

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