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新潔能：SiC/GaN項目年底竣工投產

中國科大微電子學院在GaN功率電子器件浪涌特性研究方向取得新進展

中科院微電子所在GaN器件研究方面取得重要進展

東南大學信息科學與工程學院150nmGaN芯片流片采購項目競爭性磋商公告

中科大孫海定iGaN實驗室研究三維垂直集成microLED陣列實現(xiàn)無掩膜深紫外光刻新技術

英諾賽科GaN：開啟高效、便攜的電子產品新時代

法國GaN企業(yè)獲應用材料、臺灣工研院投資

國博電子：上半年發(fā)布多款GaN射頻模塊產品，預計下半年開發(fā)并應用新一代的產品

信越化學面向GaN半導體開發(fā)出大型基板

江蘇能華微取得 GaN 肖特基二極管相關專利，有效提高了 GaN 肖特基二極管的性能

氮化鎵名企BelGaN宣告破產，潛在競購者報價1.3億歐元

機構：2023 年全球 GaN 功率元件市場規(guī)模約 2.71 億美元

豪緯集團申請一種基于微納陣列結構 GaN 基光電子芯片的制備方法專利，有效提高微納結構中有源層的發(fā)光效率

CASA立項GaN HEMT非鉗位感性負載開關魯棒性測試方法1項團體標準

又一 GaN 企業(yè)宣告破產！

德高化成第三代半導體GaN倒裝芯片LED封裝制造擴產項目開工

標準 | 2項GaN HEMT動態(tài)導通電阻測試標準形成委員會草案

全球SiC和GaN功率半導體市場2034年將增至110.8億美元

萬年晶GaN項目已投產

西安電子科技大學GaN-on-Si/SOI外延片采購公開招標公告二次

北京大學在GaN功率器件可靠性與集成技術方面取得系列進展

聞泰科技：已實現(xiàn)GaN產品D-M系列產品銷售和SiC整流管的工業(yè)消費級量產

西安電子科技大學GaN-on-Si/SOI 外延片采購公開招標公告

CASICON晶體大會前瞻|才道精密儀器馬觀嵐：SiC/GaN襯底和外延片檢測設備國產化

GaN芯片龍頭「英諾賽科」，遞交IPO招股書，擬香港上市，中金、招銀聯(lián)席保薦

GaNational：GaN功率器件引領革新風潮

科技成果推介｜增強型GaN電力電子器件

北京大學申請多溝道GaN基HEMT專利，降低導通電阻進而降低損耗

CASICON晶體大會前瞻 |廣東工業(yè)大學張紫輝：界面缺陷效應對 GaN功率電子器件的影響研究

Power Integrations收購GaN開發(fā)商Odyssey半導體資產

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