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中科院微電子所在GaN器件研究方面取得重要進(jìn)展

東南大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院150nmGaN芯片流片采購項(xiàng)目競爭性磋商公告

中科大孫海定iGaN實(shí)驗(yàn)室研究三維垂直集成microLED陣列實(shí)現(xiàn)無掩膜深紫外光刻新技術(shù)

英諾賽科GaN：開啟高效、便攜的電子產(chǎn)品新時(shí)代

法國GaN企業(yè)獲應(yīng)用材料、臺灣工研院投資

國博電子：上半年發(fā)布多款GaN射頻模塊產(chǎn)品，預(yù)計(jì)下半年開發(fā)并應(yīng)用新一代的產(chǎn)品

信越化學(xué)面向GaN半導(dǎo)體開發(fā)出大型基板

江蘇能華微取得 GaN 肖特基二極管相關(guān)專利，有效提高了 GaN 肖特基二極管的性能

氮化鎵名企BelGaN宣告破產(chǎn)，潛在競購者報(bào)價(jià)1.3億歐元

機(jī)構(gòu)：2023 年全球 GaN 功率元件市場規(guī)模約 2.71 億美元

豪緯集團(tuán)申請一種基于微納陣列結(jié)構(gòu) GaN 基光電子芯片的制備方法專利，有效提高微納結(jié)構(gòu)中有源層的發(fā)光效率

CASA立項(xiàng)GaN HEMT非鉗位感性負(fù)載開關(guān)魯棒性測試方法1項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

又一 GaN 企業(yè)宣告破產(chǎn)！

德高化成第三代半導(dǎo)體GaN倒裝芯片LED封裝制造擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目開工

標(biāo)準(zhǔn) | 2項(xiàng)GaN HEMT動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測試標(biāo)準(zhǔn)形成委員會草案

全球SiC和GaN功率半導(dǎo)體市場2034年將增至110.8億美元

萬年晶GaN項(xiàng)目已投產(chǎn)

西安電子科技大學(xué)GaN-on-Si/SOI外延片采購公開招標(biāo)公告二次

北京大學(xué)在GaN功率器件可靠性與集成技術(shù)方面取得系列進(jìn)展

聞泰科技：已實(shí)現(xiàn)GaN產(chǎn)品D-M系列產(chǎn)品銷售和SiC整流管的工業(yè)消費(fèi)級量產(chǎn)

西安電子科技大學(xué)GaN-on-Si/SOI 外延片采購公開招標(biāo)公告

CASICON晶體大會前瞻|才道精密儀器馬觀嵐：SiC/GaN襯底和外延片檢測設(shè)備國產(chǎn)化

GaN芯片龍頭「英諾賽科」，遞交IPO招股書，擬香港上市，中金、招銀聯(lián)席保薦

GaNational：GaN功率器件引領(lǐng)革新風(fēng)潮

科技成果推介｜增強(qiáng)型GaN電力電子器件

北京大學(xué)申請多溝道GaN基HEMT專利，降低導(dǎo)通電阻進(jìn)而降低損耗

CASICON晶體大會前瞻 |廣東工業(yè)大學(xué)張紫輝：界面缺陷效應(yīng)對 GaN功率電子器件的影響研究

Power Integrations收購GaN開發(fā)商Odyssey半導(dǎo)體資產(chǎn)

國博電子：公司GaN射頻模塊主要應(yīng)用于4G、5G基站設(shè)備中，積極布局6G移動(dòng)通信應(yīng)用

技術(shù)進(jìn)展|突破性研究：GaN-on-Diamond鍵合界面熱阻顯著降低

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