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標(biāo)準(zhǔn) | 《UIS應(yīng)力下
GaN
HEMT在線測(cè)試方法》形成委員會(huì)草案
評(píng)論 ?
2025-04-07 10:00
中科大微電子學(xué)院在
GaN
器件輻照效應(yīng)研究方向取得重要進(jìn)展
評(píng)論 ?
2025-04-03 09:53
超6300萬(wàn)!三墾電氣全資收購(gòu)
GaN
企業(yè)Powdec株式會(huì)社
評(píng)論 ?
2025-03-31 18:18
聞泰科技:公司預(yù)計(jì)包括SiC、
GaN
和IGBT在內(nèi)的高壓功率器件和模擬芯片產(chǎn)品將從2025年底開(kāi)始逐步放量
評(píng)論 ?
2025-03-28 15:02
重磅發(fā)布|九峰山實(shí)驗(yàn)室
GaN
系列成果首次發(fā)布!
九峰山實(shí)驗(yàn)室
GaN
研究成果
8英寸
氮化鎵襯底
評(píng)論 ?
2025-03-24 09:29
材料深一度|一篇帶你了解
GaN
HEMT最全產(chǎn)品情況
評(píng)論 ?
2025-03-19 16:42
中企競(jìng)標(biāo)收購(gòu)比利時(shí)氮化鎵廠商Bel
GaN
評(píng)論 ?
2025-03-14 09:58
中國(guó)科大楊樹(shù)教授和龍世兵教授課題組在垂直型
GaN
功率晶體管研究方向取得重要進(jìn)展
評(píng)論 ?
2025-02-20 15:09
武漢大學(xué)聯(lián)合中科大i
GaN
實(shí)驗(yàn)室與工信部電子五所在
GaN
基HEMTs的溝道溫度監(jiān)測(cè)研究領(lǐng)域取得新進(jìn)展
評(píng)論 ?
2025-02-14 14:46
UIS應(yīng)力下
GaN
HEMT在線測(cè)試方法征求意見(jiàn)
評(píng)論 ?
2025-02-07 15:52
比利時(shí)氮化鎵制造商Bel
GaN
破產(chǎn),中國(guó)買家競(jìng)購(gòu)設(shè)備資產(chǎn)
評(píng)論 ?
2025-01-21 07:52
豐田合成開(kāi)發(fā)出8英寸
GaN
單晶晶圓
評(píng)論 ?
2025-01-09 15:56
南京郵電大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)在用于低功率光通信的
GaN
/CuI異質(zhì)結(jié)構(gòu)紫外光伏探測(cè)器取得進(jìn)展
評(píng)論 ?
2025-01-02 12:06
安徽格恩半導(dǎo)體申請(qǐng)
GaN
基化合物半導(dǎo)體激光元件專利,提升光束質(zhì)量因子
評(píng)論 ?
2024-12-26 15:08
北京大學(xué)團(tuán)隊(duì)在
GaN
基功率電子器件研究上取得系列重要進(jìn)展
評(píng)論 ?
2024-12-25 10:09
納維達(dá)斯半導(dǎo)體申請(qǐng)
GaN
半橋電路等專利,提升電路性能
評(píng)論 ?
2024-12-24 15:54
北大集成電路學(xué)院研究團(tuán)隊(duì)在
GaN
基功率電子器件研究上取得系列重要進(jìn)展
評(píng)論 ?
2024-12-23 17:17
蘇州立琻半導(dǎo)體申請(qǐng)p型Al
GaN
材料及其制備等專利,提高了p型Al
GaN
材料的空穴濃度
評(píng)論 ?
2024-12-20 15:51
上海燁映微電子申請(qǐng)
GaN
晶體管與柵極驅(qū)動(dòng)器合封專利,實(shí)現(xiàn)高頻能力
評(píng)論 ?
2024-12-19 16:26
成都氮矽科技申請(qǐng) N 面增強(qiáng)型
GaN
雙向功率器件專利,提高器件的抗輻照能力
評(píng)論 ?
2024-12-19 15:43
南京大學(xué)在宇航用抗輻照
GaN
功率器件方面取得新進(jìn)展
評(píng)論 ?
2024-12-18 20:06
華燦光電擬將
GaN
募投項(xiàng)目建成時(shí)間延長(zhǎng)至明年底
評(píng)論 ?
2024-12-11 16:10
平湖實(shí)驗(yàn)室何光澤:面向SiC/
GaN
功率器件失效分析的測(cè)試技術(shù)與典型應(yīng)用| IFWS2024
評(píng)論 ?
2024-11-29 13:52
姚威振:新型MOCVD反應(yīng)器設(shè)計(jì),促進(jìn)
GaN
材料創(chuàng)新發(fā)展 | IFWS&SSLCHINA2024
評(píng)論 ?
2024-11-28 13:58
許福軍、沈波團(tuán)隊(duì)成功實(shí)現(xiàn)垂直注入Al
GaN
基深紫外發(fā)光器件的晶圓級(jí)制備
評(píng)論 ?
2024-11-12 18:43
GaN
+SiC!納微全球首發(fā)8.5kW AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源
評(píng)論 ?
2024-11-08 11:05
無(wú)錫博通申請(qǐng)半橋
GaN
增強(qiáng)型開(kāi)關(guān)器件及其制備方法專利,保證器件的高速開(kāi)關(guān)
評(píng)論 ?
2024-10-29 17:53
中國(guó)科大微電子學(xué)院在
GaN
HEMT開(kāi)關(guān)瞬態(tài)建模方向取得新進(jìn)展
評(píng)論 ?
2024-10-29 17:45
新潔能:SiC/
GaN
項(xiàng)目年底竣工投產(chǎn)
評(píng)論 ?
2024-10-22 10:07
中國(guó)科大微電子學(xué)院在
GaN
功率電子器件浪涌特性研究方向取得新進(jìn)展
評(píng)論 ?
2024-10-10 20:42
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