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簡述金剛石在 GaN 功率放大器熱設(shè)計中的應(yīng)用

英諾賽科發(fā)布兩款 40V VGaN 新品，均采用WLCSP封裝

標(biāo)準(zhǔn) | 《Sub-6GHz GaN 射頻產(chǎn)品可靠性篩選和驗收方法》等5項團體標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿

英諾賽科VGaN助力一加Ace2發(fā)布，打造全新快充體驗

簡述一種具有疊層鈍化結(jié)構(gòu)的高耐壓低功耗GaN功率器件

簡述HVPE 法 GaN 單晶摻雜研究新進展

Yole：2027年功率 GaN 器件市場價值或達20 億美元，預(yù)期年復(fù)合增長率高達 59%

英飛凌收購GaN Systems，留給競爭對手的時間不多了！

重磅收購！英飛凌57億元收購氮化鎵初創(chuàng)公司GaN Systems

廈門大學(xué)副教授高娜：基于超短周期超晶格AlN/GaN的深紫外短波光發(fā)射調(diào)控

簡述GaN功率器件應(yīng)用可靠性增長研究

鋮昌科技新產(chǎn)品GaN功率放大器芯片已實現(xiàn)規(guī)模應(yīng)用

GaN微波單片集成電路MPW流片加工延期公告

GaN IDM高新技術(shù)企業(yè)英諾賽科攜產(chǎn)品將亮相IFWS&SSLCHINA 2022

晶方科技完成對GaN器件設(shè)計公司VisIC投資

簡述選擇GaN或SiC器件的重點

中科潞安牽頭大功率深紫外AlGaN基LED發(fā)光材料與器件產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)獲得立項

賽微電子已具備6-8英寸GaN外延材料生長能力正在推動山東GaN產(chǎn)線建設(shè)

蘇州納米所孫錢團隊研制出國際首支1200V的硅襯底GaN基縱向功率器件

CASA發(fā)布《分立GaN HEMT功率器件動態(tài)電阻評估》技術(shù)報告

GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品供貨商Transphorm拓展中國區(qū)業(yè)務(wù)，擴大氮化鎵應(yīng)用實驗室

GaN襯底研發(fā)獲新突破！

國博電子：積極布局以GaN為代表的第三代化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域

GaN功率半導(dǎo)體的2023預(yù)測

河工大張紫輝團隊在GaN基Micro-LED方面獲得新進展

淺述GaN功率器件的發(fā)展

中鎵半導(dǎo)體：挑戰(zhàn)最高GaN體電阻率，開發(fā)更高電阻率的半絕緣GaN自支撐襯底

東南大學(xué)牽頭起草的《分立GaN HEMT功率器件動態(tài)電阻評估》技術(shù)報告已形成委員會草案

標(biāo)準(zhǔn) | CASA立項《射頻GaN HEMT結(jié)構(gòu)的遷移率非接觸霍爾測量方法》等5項團體標(biāo)準(zhǔn)

北京交大科研團隊提出GaN器件動態(tài)導(dǎo)通電阻的精確測試與優(yōu)化方法

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