美国一级A片性欧美大片|高清三级电影无码|国产精品自慰喷水|黄片亚洲无码国产|老鸭窝在线免费AV|完全免费在线视频精品一区|日韩va亚洲va欧美va高清|日韩激情在线观看老A影视|免费黄色影片免费人人草|AV永久在线观看

<ruby id="mhjbc"><strong id="mhjbc"><acronym id="mhjbc"></acronym></strong></ruby>

<style id="mhjbc"><progress id="mhjbc"><track id="mhjbc"></track></progress></style>

<li id="mhjbc"><dl id="mhjbc"></dl></li>

<li id="sbu33"><strong id="sbu33"></strong></li>

首頁 > 新聞資訊 > 搜索

簡述提高GaN效率的新?lián)诫s技術(shù)

納微氮化鎵（GaN）半橋功率芯片專利布局解讀

東南大學(xué)牽頭起草的《分立GaN HEMT功率器件動態(tài)電阻評估》技術(shù)報告已形成委員會草案

簡述納微GaNSense技術(shù)及專利布局

華微電子：積極布局以SiC和GaN為代表的寬禁帶半導(dǎo)體器件技術(shù)

格芯獲得 3000 萬美元政府資金用于氮化鎵 GaN 芯片生產(chǎn)

東南大學(xué)牽頭起草《分立GaN HEMT功率器件動態(tài)電阻評估》技術(shù)報告征求意見

簡述使用不同類型GaN FET 設(shè)計提高系統(tǒng)設(shè)計功率密度

東南大學(xué)牽頭起草《分立GaN HEMT功率器件動態(tài)電阻評估》技術(shù)報告征求意見

臺積電積極布局第三代半導(dǎo)體，二代硅基GaN技術(shù)平臺年內(nèi)完成

宏光半導(dǎo)體獲協(xié)鑫朱共山入股攜手發(fā)展第三代半導(dǎo)體GaN業(yè)務(wù)

芯導(dǎo)科技：第三代半導(dǎo)體650VGaNHEMT產(chǎn)品預(yù)計今年可實現(xiàn)量產(chǎn)

深圳大學(xué)劉新科研究員團(tuán)隊研發(fā)出自支撐GaN襯底上的高性能常關(guān)型PGaN柵極HEMT

東南大學(xué)牽頭起草《分立GaN HEMT功率器件動態(tài)電阻評估》技術(shù)報告征求意見

第三代半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)剖析

SK Siltron 計劃成立合資公司開發(fā) SiC和GaN芯片

宏光半導(dǎo)體攜手協(xié)鑫集團(tuán) 布局GaN功率芯片在新能源領(lǐng)域應(yīng)用

金剛石在GaN功率放大器熱設(shè)計中的應(yīng)用

Wolfspeed：GaN HEMT 大信號模型

上海福賽特：打造中國領(lǐng)先的LED/GaN半導(dǎo)體AMHS設(shè)備提供商

住友化學(xué)合并GaN襯底子公司Sciox

芯導(dǎo)科技：已經(jīng)成功推出幾款GaN產(chǎn)品

聞泰科技：公司在第三代化合物半導(dǎo)體方面布局了GaN與SiC

大阪大學(xué)、豐田合成等合作利用Na助熔劑法培育出世界上最大的6英寸高品質(zhì)GaN晶體

標(biāo)準(zhǔn) | 電子五所牽頭的T/CASAS 005《用于硬開關(guān)電路的GaN HEMT動態(tài)導(dǎo)通電阻測試方法》形成委員會草案

6英寸高品質(zhì)GaN晶體最新進(jìn)展

在納米圖案化藍(lán)寶石襯底（NPSS）上實現(xiàn)AlGaN基高效多量子阱的生長

GaN基紫外半導(dǎo)體激光器

宇騰科技光電新材料GaN項目試車成功

限時回放|強(qiáng)芯沙龍第二期精彩不容錯過！大咖做客暢聊GaN功率半導(dǎo)體的現(xiàn)在與未來

第10頁/共17頁首頁下一頁上一頁尾頁

聯(lián)系客服投訴反饋頂部