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【CASICON 2021】美國弗吉尼亞理工大學(xué)張宇昊:SiC MOSFET和GaN
HEMT
在過壓開關(guān)中的魯棒性
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2021-09-16 11:56
【CASICON 2021】西交利物浦大學(xué)劉雯:硅基GaN MIS-
HEMT
單片集成技術(shù)
評論 ?
2021-09-16 11:29
【CASICON 2021】中國電科首席科學(xué)家陳堂勝:低溫鍵合金剛石GaN
HEMT
微波功率器件
評論 ?
2021-09-14 09:51
CASICON 2021前瞻:面向高可靠性、高能效應(yīng)用的GaN
HEMT
增強(qiáng)型器件技術(shù)
評論 ?
2021-09-10 10:21
快充僅是第三代半導(dǎo)體應(yīng)用“磨刀石”,落地這一領(lǐng)域可每年省電40億度
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第三代半導(dǎo)體
器件
MOSFET
SiC
MOSFET
SiC模塊
GaN
HEMT
IGBT
評論 ?
2021-08-11 15:39
中科院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所周宇:硅基GaN增強(qiáng)型
HEMT
電力電子器件
評論 ?
2020-12-16 18:13
中興通訊蔡小龍:針對5G基站中射頻氮化鎵
HEMT
的失效分析研究
評論 ?
2020-12-11 16:17
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