美国一级A片性欧美大片|高清三级电影无码|国产精品自慰喷水|黄片亚洲无码国产|老鸭窝在线免费AV|完全免费在线视频精品一区|日韩va亚洲va欧美va高清|日韩激情在线观看老A影视|免费黄色影片免费人人草|AV永久在线观看

<ruby id="mhjbc"><strong id="mhjbc"><acronym id="mhjbc"></acronym></strong></ruby>

<style id="mhjbc"><progress id="mhjbc"><track id="mhjbc"></track></progress></style>

<li id="mhjbc"><dl id="mhjbc"></dl></li>

首頁 > 新聞資訊 > 搜索

【W(wǎng)olfspeed白皮書】碳化硅功率模塊可靠性：Wolfspeed的功率循環(huán)與壽命建模方法（附下載鏈接）

標準發(fā)布 | 光治療用柔性OLED光源最小彎曲半徑測試方法標準發(fā)布，即將出版

標準 | 《基于感性負載的SiC功率模塊老化篩選試驗方法》發(fā)布

標準 |《SiC MOSFET高濃度硫化氫試驗方法》立項

標準 |《氫燃料電池車用碳化硅DC/DC變換器測試方法》立項

廈門大學&廈門市未來顯示技術研究院團隊基于氮化物表面電子態(tài)演化開發(fā)出Micro LED側壁鈍化新方法

標準 | 《高頻開關應用下GaN HEMT開關可靠性試驗方法》發(fā)布

奕斯偉“定盤溝槽清潔裝置、清潔方法和研磨設備”專利公布

奕斯偉“晶圓倒角裝置和晶圓倒角方法”專利公布

中國科學家首創(chuàng)“蒸籠”方法“長出”高性能晶體管新材料

標準 | “基于感性負載的SiC 功率模塊老化篩選試驗方法”形成委員會草案

泰科天潤“一種低反向恢復干擾平面柵VDMOS及其制備方法”專利公布

馳芯半導體“一種用于UWB的定時恢復方法及裝置”專利獲授權

晶盛機電獲得發(fā)明專利授權：“碳化硅晶錠激光切割方法及切割系統(tǒng)”

標準 | 《半橋拓撲中SiC MOSFET開關損耗準確評估測試方法》立項

標準 | 《三電平SiC MOSFET功率模塊開關動態(tài)特性測試方法》立項

甬矽電子獲得發(fā)明專利授權：“半導體封裝方法和半導體封裝結構”

晶合集成獲得發(fā)明專利授權：“半導體結構及其制作方法”

標準 |《UIS應力下GaN HEMT在線測試方法》發(fā)布

派恩杰“一種碳化硅晶圓襯底的制備方法及碳化硅晶圓襯底”專利公布

標準 |華峰測控牽頭的3項SiC MOSFET UIS/單管短路/模塊短路測試方法形成征求意見稿

標準 | ALN位錯密度/吸收系數(shù) 2項測試方法發(fā)布

CSPSD 2025前瞻|北京智慧能源研究院陳中圓：基于正向壓降表征的碳化硅MOSFET結溫測量方法研究

中科飛測“轉換關系獲取方法、檢測方法和相關設備”專利公布

CSPSD 2025前瞻|工信部第五研究所施宜軍：P-GaN HEMT柵極ESD魯棒性及改進方法

意見征集 | 北大光電院牽頭的異質外延氮化鎵外延層厚度測試方法標準形成征求意見稿

標準 |華峰測控牽頭的3項SiC MOSFET UIS/單管短路/模塊短路測試方法形成征求意見稿

泰科天潤“一種超結快恢復平面柵碳化硅VDMOS及其制備方法”專利公布

瑤芯微申請溝槽型MOSFET器件結構及其制備方法專利，降低器件動態(tài)損耗

長光華芯“半導體光子晶體發(fā)光結構及其制備方法”專利公布

第1頁/共8頁首頁下一頁上一頁尾頁

聯(lián)系客服投訴反饋頂部

<rt id="mktml"></rt>

<style id="mktml"><thead id="mktml"><output id="mktml"></output></thead></style>