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  • 朱志甫：10BN中子探測(cè)
    《10BN中子探測(cè)材料生長(zhǎng)與器件制備》作者：朱志甫，王少堂，鄒繼軍，甘勇，湯彬單位：鄭州工程技術(shù)學(xué)院，東華理工大學(xué)
    11000
    limit2022-01-07 14:20
  • Jiaxiang Chen: Elect
    Electrical Characterization of Vertical -Ga2O3 SBD w/o epi-layerJiaxiang Chen, Haolan Qu, Xing Lu, Xinbo ZouSchool of Information Science and Technology, ShanghaiTech University, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University
    16000
    limit2022-01-07 14:19
  • 張輝：氧化鎵晶體的生
    《氧化鎵晶體的生長(zhǎng)、缺陷及摻雜》作者：張輝，夏寧，劉瑩瑩，李成，楊德仁單位：浙江大學(xué)硅材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心
    27500
    limit2022-01-07 14:18
  • 唐寧：氮化鎵量子阱中
    《氮化鎵量子阱中電子自旋弛豫性質(zhì)研究》作者：張仕雄，唐寧，劉星辰，張曉玥，付雷，張?jiān)品?，樊騰，孫真昊，葛惟昆，沈波單位：北京大學(xué)物理學(xué)院人工微結(jié)構(gòu)與介觀物理國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
    18000
    limit2022-01-07 14:16
  • 徐童齡：基于NiO/β-
    《基于NiO/- Ga2O3異質(zhì)pn結(jié)的低漏電JBS二極管研究》作者：徐童齡，羅浩勛，鄧郁馨，陳梓敏，裴艷麗，盧星，王鋼單位：中山大學(xué)電子與信息工程學(xué)院光電材料與技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
    7200
    limit2022-01-07 13:50
  • 張亞民：基于脈沖信號(hào)
    《基于脈沖信號(hào)導(dǎo)通延遲的SiC MOSFET結(jié)溫檢測(cè)方法研究》作者：姜山，張亞民，馮士維，石幫兵單位：北京工業(yè)大學(xué)
    9000
    limit2022-01-07 13:49
  • 劉紅輝：光照下AlGaN/
    《光照下AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)溝道中載流子的輸運(yùn)過(guò)程研究》柳月波，劉紅輝，邢潔瑩，姚婉青，戴雅瓊，楊隆坤，王風(fēng)格，任遠(yuǎn)，沈俊宇，張敏杰，作者：吳志盛，劉揚(yáng)，張佰君單位：中山大學(xué)電子與信息工程學(xué)院
    17400
    limit2022-01-07 13:47
  • 劉少煜：一種通過(guò)提高
    《一種通過(guò)提高界面處sp2-碳含量改良4H-SiC歐姆接觸的方法》作者：劉少煜，程新紅，鄭理，劉曉博，俞躍輝單位：中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所
    34200
    limit2022-01-07 13:35
  • 張赫朋：室溫1.04 mA/
    《室溫1.04 mA/cm2峰值電流密度AlN/GaN雙勢(shì)壘共振隧穿二極管》作者：張赫朋，薛軍帥，張進(jìn)成，郝躍單位：西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院
    13400
    limit2022-01-07 13:34
  • 鄭偉：4H-SiC、GaN和
    《4H-SiC、GaN和-Ga2O3巴利加優(yōu)值的巨量退化》作者：程璐，鄭偉單位：中山大學(xué)材料學(xué)院，國(guó)家光電材料與技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
    35500
    limit2022-01-07 13:32
  • 陳鵬：GaN基肖特基功
    《GaN基肖特基功率器件研究新進(jìn)展》作者：陳鵬單位：南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院
    31300
    limit2022-01-07 13:31
  • 吳帆正樹(shù)：碳化硅溝槽
    《碳化硅溝槽刻蝕技術(shù)研究進(jìn)展》作者：吳帆正樹(shù)，張清純，馬宏平，張潔，侯欣藍(lán)，張園覽單位：復(fù)旦大學(xué)工程與應(yīng)用技術(shù)研究院超越照明研究所
    14900
    limit2022-01-07 13:30
  • 張昊宸：具有超高光響
    《具有超高光響應(yīng)（3.6107 A/W）的AlGaN/GaN基光電三極管》作者：張昊宸，孫海定，龍世兵單位：中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院
    7400
    limit2022-01-07 13:29
  • Hui Guo: NiO/AlGaN i
    NiO/AlGaN interface reconstruction and transport manipulation of p-NiO gated AlGaN/GaN HEMTsAuthor: Hui Guo, Hehe Gong, Xinxin Yu, Rui Wang, Qing Cai, Danfeng Pan, Jiandong Ye, Bin Liu, Dunjun Chen, Hai Lu, Rong Zhang, Youdou Zheng單位/Institute: 南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院
    19600
    limit2022-01-07 11:53
  • 吳千樹(shù)：肖特基p型柵
    《肖特基p型柵結(jié)構(gòu)GaN基HEMTs中Vth的影響機(jī)理》作者：吳千樹(shù)，何亮，張津偉，陳佳，黎城朗，張琦，丘秋凌，劉振興，周毓昊，吳志盛，賀志遠(yuǎn)，劉揚(yáng)單位：中山大學(xué)電子與信息工程學(xué)院，工業(yè)和信息化部電子第五研究所
    24200
    limit2022-01-07 11:51
  • 徐尉宗：具有高可靠感
    《具有高可靠感生能量泄放能力的AlGaN/GaN基功率器件研制》作者：徐尉宗，周峰，任芳芳，陳敦軍，張榮，鄭有炓，陸海單位：南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院
    19000
    limit2022-01-07 11:50
  • 葉建東：氧化鎵基雙極
    《氧化鎵基雙極型異質(zhì)結(jié)功率器件研究》作者：葉建東，鞏賀賀，周峰，郁鑫鑫，徐尉宗，任芳芳，顧書(shū)林，陸海，張榮，鄭有炓單位：南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院
    38500
    limit2022-01-07 11:41
  • 李忠輝：新型Al(Ga)N/
    《新型Al(Ga)N/GaN異質(zhì)結(jié)外延材料研究》作者：李忠輝，彭大青，張東國(guó)，李傳皓，楊乾坤，羅偉科，董遜，李亮單位：南京電子器件研究所，微波毫米波單片集成電路國(guó)家級(jí)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
    21800
    limit2022-01-07 11:15
  • 劉國(guó)振：A Single Chi
    A Single Chip LiFi LED with Natural White Light and Bi-Directional CommunicationAuthor: Guozhen Liu (劉國(guó)振), Bin Guo, Yehang Cai, Shiqiang Lu, Zhibai Zhong, Han Chen, Jun Yin, Jing Li, Feiya Xu, Xiaohong Chen, Junyong Kang, Duanjun Cai (蔡端俊)Institute: Xiamen University
    10500
    limit2022-01-07 10:27
  • 李天義：SiC紫外單光
    《SiC紫外單光子探測(cè)器及其成像陣列的器件物理與性能表征研究》作者：李天義，蘇琳琳，周東，徐尉宗，任芳芳，陳敦軍，張榮，鄭有炓，陸海單位：南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院
    17800
    limit2022-01-07 10:26
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