科友半導(dǎo)體官微消息，2024年3月27日，科友半導(dǎo)體與俄羅斯N公司在哈爾濱簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，開(kāi)展“八英寸碳化硅完美籽晶”的項(xiàng)目合作。科友半導(dǎo)體董事長(zhǎng)與俄羅斯N公司創(chuàng)始人出席了在哈爾濱科友半導(dǎo)體舉行的簽約儀式。

科友半導(dǎo)體長(zhǎng)期致力于碳化硅長(zhǎng)晶裝備研制和工藝技術(shù)研發(fā)，有豐富的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)，八英寸電阻爐已在高端制造領(lǐng)域得到高度認(rèn)可并被廣泛應(yīng)用。俄羅斯N公司在晶體缺陷密度控制有著豐富的研究經(jīng)驗(yàn)，在相關(guān)領(lǐng)域發(fā)表高水平文章及期刊百余篇。

簽約現(xiàn)場(chǎng)合影

通過(guò)與俄羅斯N公司的合作，科友半導(dǎo)體將研發(fā)獲得“無(wú)微管，低位錯(cuò)”完美籽晶，應(yīng)用品質(zhì)優(yōu)異的籽晶進(jìn)行晶體生長(zhǎng)，會(huì)進(jìn)一步大幅降低八英寸碳化硅晶體內(nèi)部的微管、位錯(cuò)等缺陷密度，從而提高晶體生長(zhǎng)的質(zhì)量和良率，并推動(dòng)碳化硅長(zhǎng)晶爐體及工藝技術(shù)的優(yōu)化與升級(jí)。雙方將長(zhǎng)期友好合作，發(fā)揮各方的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，共同推進(jìn)八英寸碳化硅晶體生長(zhǎng)良率提升以及晶體缺陷降低。本次簽約儀式的圓滿完成，標(biāo)志著科友半導(dǎo)體與俄羅斯N合作進(jìn)入了嶄新的階段。