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三維半導(dǎo)體器件制造新路徑!上海交大團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)3D打印單晶硅突破

日期:2025-12-04 閱讀:608
核心提示:三維半導(dǎo)體器件制造新路徑!上海交大團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)3D打印單晶硅突破

 在微納尺度實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體材料的3D打印一直是增材制造領(lǐng)域的“圣杯”。然而,傳統(tǒng)的激光加工技術(shù)往往只能得到多晶或非晶結(jié)構(gòu)的硅,難以滿足高性能半導(dǎo)體器件對(duì)單晶材料的嚴(yán)苛要求。

近日,上海交通大學(xué)機(jī)械與動(dòng)力工程學(xué)院劉智崑副教授團(tuán)隊(duì)在增材制造頂刊《Additive Manufacturing》上發(fā)表重要成果,他們利用液態(tài)硅烷前驅(qū)體,結(jié)合激光直寫技術(shù),成功實(shí)現(xiàn)了全單晶硅納米結(jié)構(gòu)的快速增材制造,且特征尺寸突破了光學(xué)衍射極限。這一技術(shù)擺脫了對(duì)光刻機(jī)及電子束直寫設(shè)備的依賴,為無需掩模、低成本制造三維半導(dǎo)體器件開辟了新路徑。本期谷·專欄將分享該成果。

圖文解析

圖1. “液態(tài)前驅(qū)體+激光直寫”:?jiǎn)尉Ч璧?D生長(zhǎng)示意圖。

該研究采用環(huán)己硅烷(CHS)作為液態(tài)前驅(qū)體。相比傳統(tǒng)氣相沉積(CVD)使用的甲硅烷,CHS具有更弱的Si-Si鍵(鍵能低)和更高的硅含量,使其能夠在較低溫度下(~200-300°C)快速分解。 

團(tuán)隊(duì)利用532 nm納秒脈沖激光作為熱源。由于液態(tài)CHS不吸收該波長(zhǎng)的激光,激光直接穿透液體加熱硅襯底。這種獨(dú)特的 “液層透射-界面加熱”模式,將高溫反應(yīng)區(qū)局限在襯底上方極薄的納米層內(nèi),從而誘導(dǎo)硅原子嚴(yán)格按照襯底晶格排列,實(shí)現(xiàn)外延生長(zhǎng)。該過程無需引入金屬顆?;蚱渌呋瘎?/p>

圖2. 垂直硅柱的TEM表征:完美的單晶結(jié)構(gòu)。

透射電子顯微鏡(TEM)和選區(qū)電子衍射(SAED)結(jié)果顯示(圖2),打印出的硅柱內(nèi)部完全無晶界,晶格條紋與襯底無縫銜接。無論是在(100)、(110)還是(111)晶向的襯底上,打印結(jié)構(gòu)均完美繼承了襯底的晶體取向,證實(shí)了真正的單晶3D打印。

圖3. 亞波長(zhǎng)尺寸及高速生長(zhǎng)。

微納制造突破:更小、更快

突破衍射極限:利用激光能量的高斯分布特性和邊緣擴(kuò)散限制效應(yīng),團(tuán)隊(duì)在2.2微米的光斑下,實(shí)現(xiàn)了寬度僅為230nm的硅線和直徑280nm的硅柱,特征尺寸小于激光波長(zhǎng)(532 nm)。 

高速生長(zhǎng):通過提高激光脈沖頻率,垂直生長(zhǎng)速率可線性提升至 2900 nm/s,這一速度得益于CHS分子獨(dú)特的“協(xié)同反應(yīng)機(jī)制”,有效降低了表面反應(yīng)能壘。     

總結(jié)

該研究提出了一種基于液態(tài)前驅(qū)體的激光直寫新方法,成功克服了傳統(tǒng)激光加工中容易產(chǎn)生多晶/非晶缺陷的難題,實(shí)現(xiàn)了單晶硅納米結(jié)構(gòu)的高效、高精度增材制造。這項(xiàng)技術(shù)擺脫了對(duì)光刻機(jī)及電子束直寫設(shè)備的依賴,無需昂貴的掩模版或超高真空環(huán)境,即可在芯片上原位構(gòu)建具有特定晶向的單晶硅納米結(jié)構(gòu)。這為未來三維集成電路(3D IC)、微納機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)以及新型光子芯片的定制化、低成本制造提供了全新的技術(shù)平臺(tái)。

論文鏈接:

https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S221486042500394X

上海交通大學(xué)劉智崑副教授為通訊作者,博士生楊興潔為第一作者,合作者包括陳平工程師。

通訊作者簡(jiǎn)介

劉智崑(通訊作者):上海交通大學(xué)機(jī)械與動(dòng)力工程學(xué)院副教授。2015年博士畢業(yè)于美國(guó)普渡大學(xué)工業(yè)與制造工程專業(yè)。博士論文是關(guān)于激光誘導(dǎo)納米制造技術(shù)。博士畢業(yè)后回國(guó)加入華南理工大學(xué),研究領(lǐng)域是氮化鎵晶體管的設(shè)計(jì)與新制程技術(shù)。2019年加入上海交通大學(xué)機(jī)械與動(dòng)力工程學(xué)院,專注硅基集成電路的新制程及新設(shè)備研發(fā)。目前具體研究包括選區(qū)外延及原子制造,新型硅前驅(qū)體,集成多針尖原子力顯微鏡設(shè)備等等。劉智崑副教授已在電子類,制造類,物理類,化學(xué)類多個(gè)學(xué)科的國(guó)際頂尖期刊上發(fā)表原創(chuàng)性工作,致力于通過跨學(xué)科創(chuàng)新解決集成電路先進(jìn)制程中的關(guān)鍵問題。

來源:材料科學(xué)與工程

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