為貫徹國家創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展戰(zhàn)略，積極培育和發(fā)展新質(zhì)生產(chǎn)力，聚焦發(fā)掘我國第三代半導體產(chǎn)業(yè)重要科技進展，進一步擴大優(yōu)秀科研成果的影響力和輻射面，助推優(yōu)秀技術(shù)成果轉(zhuǎn)化為新質(zhì)生產(chǎn)力，實現(xiàn)高水平科技自立自強，賦能我國產(chǎn)業(yè)不斷攀升全球價值鏈的最高端。由國際第三代半導體論壇暨第中國國際半導體照明論壇（IFWS&SSLCHINA）程序委員會倡議發(fā)起“年度中國第三代半導體技術(shù)十大進展”評選，2025年經(jīng)公開征集和合規(guī)篩選，共計有效成果43項。經(jīng)程序委員會專家評審投票，33項優(yōu)秀成果進入終評候選成果TOP30 （不分先后）。接下來將逐一推介，敬請關(guān)注！

》大會現(xiàn)場設有候選成果TOP30 主題展示

1全系列12英寸碳化硅襯底全球首發(fā)

——山東天岳先進科技股份有限公司、上海天岳半導體材料有限公司

山東天岳先進科技股份有限公司在德國慕尼黑半導體展覽會上發(fā)布全球首款12英寸碳化硅襯底，標志著中國在半導體關(guān)鍵基礎材料領域?qū)崿F(xiàn)了歷史性的重大突破，彰顯了中國新一代半導體材料技術(shù)的國際領先地位。 碳化硅單晶擴徑技術(shù)難度極高，12英寸碳化硅晶體制備需要在8英寸碳化硅晶體基礎上通過多輪次迭代擴徑，項目團隊在新型長晶設備開發(fā)、配套的熱場結(jié)構(gòu)設計及工藝、特殊籽晶處理工藝等方向上取得創(chuàng)新性突破，攻克了碳化硅單晶的連續(xù)擴徑技術(shù)，成功制備出12英寸碳化硅單晶；同時項目團隊配合超大尺寸襯底開發(fā)了新型大尺寸切割、研磨和拋光技術(shù)，最終實現(xiàn)12英寸碳化硅襯底的加工成型。

圖1 碳化硅單晶連續(xù)擴徑過程

圖2 12英寸碳化硅襯底

學術(shù)/產(chǎn)業(yè)價值

目前商業(yè)化供應的碳化硅襯底仍然以6英寸為主，8英寸襯底已經(jīng)實現(xiàn)批量供貨，整體上正處于6英寸向8英寸的過渡期。在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中，襯底在碳化硅芯片成本中占比大，是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中成本和技術(shù)壁壘最高的環(huán)節(jié)。碳化硅襯底向大尺寸發(fā)展，是推動碳化硅走向大規(guī)模推廣應用的關(guān)鍵因素。

12英寸晶圓的面積是6英寸晶圓的約4倍，是8英寸晶圓的約2.25倍，襯底面積越大，單次外延和流片可生產(chǎn)的芯片數(shù)量就越多，單位芯片分攤的成本越低。目前成熟且龐大的硅基半導體制造產(chǎn)線主要基于12英寸，如果碳化硅襯底尺寸能與硅基主流尺寸匹配，就能更有效地利用現(xiàn)有成熟產(chǎn)線的工藝管理經(jīng)驗和部分設備，降低大規(guī)模制造的門檻和成本，提升制造效率，滿足快速增長的市場需求。

碳化硅單晶襯底是第三代半導體行業(yè)的關(guān)鍵核心材料，也是以美國為首的西方國家對我國實施技術(shù)封鎖的重點領域，實現(xiàn)碳化硅半導體材料的自主可控對我國半導體行業(yè)的發(fā)展具有重要戰(zhàn)略意義。

掌握12英寸碳化硅襯底量產(chǎn)技術(shù)是半導體材料領域的一項重大突破，代表著一個國家在第三代半導體核心技術(shù)上的領先地位。確保大尺寸、高性能碳化硅襯底的自主可控供應，關(guān)系到我國核心產(chǎn)業(yè)鏈的安全和競爭力，避免在關(guān)鍵材料上被“卡脖子”，并在未來的競爭中占據(jù)巨大優(yōu)勢，極大地保障了國內(nèi)產(chǎn)業(yè)發(fā)展和國家安全，提升民族自信心。

創(chuàng)新指標

12英寸碳化硅襯底關(guān)鍵指標：襯底直徑：300 mm±0.5mm，厚度：775μm±25μm，偏角：4°±0.5°，表面粗糙度Ra：≤0.2nm（硅面）；

天岳先進是全球第一家發(fā)布12英寸碳化硅襯底的企業(yè)，目前國際碳化硅領域知名企業(yè)Wolfspeed、Coherent等尚未公開12英寸技術(shù)，國內(nèi)企業(yè)陸續(xù)發(fā)布12英寸碳化硅襯底，在時間上均落后于天岳先進，并且天岳先進是目前全球唯一實現(xiàn)全系列12英寸產(chǎn)品突破的企業(yè)。天岳先進在12英寸碳化硅襯底技術(shù)創(chuàng)新方面已申請專利54件，其中已授權(quán)發(fā)明專利17件，PCT申請6件。2024年11月至今新申請并受理發(fā)明專利9件。

應用前景

半導體器件領域：電力電子和射頻通信領域?qū)Ω咝?、高功率密度的碳化硅基器件的需求持續(xù)增長。碳化硅可以有效提升系統(tǒng)效率，突破性能瓶頸。根據(jù)行業(yè)預測，碳化硅功率器件市場將以20%以上的復合年增長率（CAGR）增長，到2030年將超過100億美元

AR眼鏡：碳化硅是AR眼鏡光波導鏡片的最優(yōu)選材料。12英寸襯底可大幅提升鏡片產(chǎn)出量并降低成本。2030年，全球AR眼鏡市場可能達到800萬臺規(guī)模，碳化硅材料需求將隨技術(shù)普及快速增長。

AI芯片先進封裝：英偉達計劃在GPU的CoWoS先進封裝中，用碳化硅替代傳統(tǒng)的硅作為中介層材料，以解決散熱問題，這將為碳化硅帶來新的市場機遇。

推薦人理由：

全球首發(fā)全系列12英寸碳化硅襯底，標志著我國寬禁帶半導體材料進入全球領先地位，也將成為碳化硅單晶及襯底發(fā)展的里程碑事件，非常符合中國第三代半導體技術(shù)十大進展征集宗旨及申報條件。——高超（天岳先進執(zhí)行董事兼首席技術(shù)官）

成果發(fā)表

鏈接1：SICC shows first 300mm SiC wafer - Compound Semiconductor News

https://compoundsemiconductor.net/article/120581/SICC_shows_first_300mm_SiC_wafer

鏈接1：智領“芯”未來｜天岳先進亮相Semicon China 2025

備注：上述信息摘自申報材料部分內(nèi)容，僅供參考！