“電子黃金”內(nèi)存價(jià)格的飆升，已從產(chǎn)業(yè)鏈上游震蕩至消費(fèi)者層面。小米創(chuàng)始人雷軍公開(kāi)感嘆“內(nèi)存漲價(jià)實(shí)在太多”，正是這股浪潮沖擊的直觀體現(xiàn)。然而，當(dāng)消費(fèi)端感受到價(jià)格壓力時(shí)，產(chǎn)業(yè)鏈中游的晶圓代工巨頭，也面臨一場(chǎng)更為嚴(yán)峻的深層考驗(yàn)。中芯國(guó)際聯(lián)合首席執(zhí)行官趙海軍在最新業(yè)績(jī)會(huì)上38次提及“存儲(chǔ)”，并發(fā)出警示：存儲(chǔ)超級(jí)周期對(duì)邏輯代工而言，是導(dǎo)致“供應(yīng)鏈無(wú)法配套”和“成本擠壓”的雙刃劍。

滿產(chǎn)下的憂慮：產(chǎn)業(yè)融合的“阿喀琉斯之踵”

中芯國(guó)際三季度的業(yè)績(jī)堪稱強(qiáng)勁：營(yíng)收環(huán)比增長(zhǎng)7.8%，產(chǎn)能利用率高達(dá)95.8%，逼近滿產(chǎn)。這主要得益于“國(guó)產(chǎn)供應(yīng)鏈切換”和客戶補(bǔ)庫(kù)存兩大引擎的驅(qū)動(dòng)。然而，公司對(duì)四季度的預(yù)期卻驟然轉(zhuǎn)向保守，收入環(huán)比近乎持平，毛利率指引下調(diào)。這“滿產(chǎn)”與“保守”之間的巨大反差，核心變量正是席卷全球的存儲(chǔ)漲價(jià)潮。

首先，是供應(yīng)鏈的“木桶效應(yīng)”。今天的電子系統(tǒng)是“算力-存儲(chǔ)-連接”深度融合的有機(jī)體，任何單一芯片的短缺都會(huì)成為制約整個(gè)系統(tǒng)的短板。趙海軍點(diǎn)明了關(guān)鍵：對(duì)于終端廠商而言，如果無(wú)法確保DRAM和NAND這類“關(guān)鍵物料”的足額供應(yīng)，他們自然會(huì)削減對(duì)電源管理芯片（PMIC）、圖像傳感器（CIS）、微控制器（MCU）等配套邏輯芯片的采購(gòu)。這意味著，存儲(chǔ)的短缺，正直接“窒息”邏輯芯片的市場(chǎng)需求。

另一方面，存儲(chǔ)成本的暴漲正在吞噬終端產(chǎn)品的利潤(rùn)空間。趙海軍直言，“手機(jī)的價(jià)格并不期待能夠上漲”，那么，終端客戶自然會(huì)要求其他芯片供應(yīng)商降價(jià)，以平衡整體物料成本。這股降價(jià)的壓力，會(huì)沿著“終端廠商——芯片設(shè)計(jì)公司——晶圓代工廠”的鏈條層層傳導(dǎo)。即使中芯國(guó)際產(chǎn)線滿載，其毛利率也面臨著來(lái)自下游的嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。產(chǎn)業(yè)融合時(shí)代“只掃門(mén)前雪”的專業(yè)化分工模式，正面臨供應(yīng)鏈協(xié)同失效的系統(tǒng)性風(fēng)險(xiǎn)。

跨界進(jìn)軍存儲(chǔ)芯片？互相制約的螺旋與產(chǎn)業(yè)融合可能性

存儲(chǔ)對(duì)邏輯的制約已然發(fā)生，從需求側(cè)和利潤(rùn)側(cè)形成雙重?cái)D壓。而其根本驅(qū)動(dòng)力，則源于運(yùn)算需求的革命性變化。AI算力對(duì)高帶寬內(nèi)存（HBM）的渴求，虹吸了全球頂尖的DRAM產(chǎn)能，間接擠占了標(biāo)準(zhǔn)存儲(chǔ)的供給；同時(shí)，AI推理規(guī)?；涞貛?lái)的數(shù)據(jù)洪流，又推動(dòng)了對(duì)大容量NAND閃存的迫切需求。供需的齒輪由此錯(cuò)位。

這種深刻的相互依存關(guān)系，正推動(dòng)著產(chǎn)業(yè)走向必然的融合。未來(lái)的競(jìng)爭(zhēng)，不再是單一芯片性能的比拼，而是整個(gè)計(jì)算系統(tǒng)效率的較量。這模糊了傳統(tǒng)芯片品類的邊界，并呼喚能夠提供更全面技術(shù)協(xié)同與供應(yīng)鏈保障的制造平臺(tái)。專業(yè)化分工的效率優(yōu)勢(shì)，正在被供應(yīng)鏈脆弱性的風(fēng)險(xiǎn)所挑戰(zhàn)。

跨界破局：中芯已接NAND Flash存儲(chǔ)急單，低壁壘NAND或成融合首選

在這一背景下，一個(gè)市場(chǎng)猜想正逐漸浮出水面：像中芯國(guó)際這樣的邏輯代工龍頭，是否會(huì)為了破解困局，主動(dòng)向上游延伸，切入存儲(chǔ)芯片制造領(lǐng)域？供需錯(cuò)配已經(jīng)導(dǎo)致市場(chǎng)上出現(xiàn)存儲(chǔ)急單，盡管中芯國(guó)際自身尚未釋放明確信號(hào)，但中芯國(guó)際在2025年11月表示已承接大量包括NAND Flash在內(nèi)的存儲(chǔ)急單。技術(shù)門(mén)檻相對(duì)更低、與現(xiàn)有工藝協(xié)同性更強(qiáng)的NAND閃存，最有可能成為其破局的第一站。

從商業(yè)邏輯上看，這符合企業(yè)多元化經(jīng)營(yíng)、平抑單一周期風(fēng)險(xiǎn)的戰(zhàn)略。當(dāng)前的市場(chǎng)格局變化更為這一戰(zhàn)略提供了現(xiàn)實(shí)依據(jù)，國(guó)際存儲(chǔ)大廠正將NAND產(chǎn)能聚焦于高層數(shù)、高性能產(chǎn)品，以滿足AI服務(wù)器需求，主動(dòng)讓出了中低層數(shù)3D NAND的市場(chǎng)空間。例如臺(tái)積電雖不生產(chǎn)存儲(chǔ)顆粒，但其先進(jìn)的CoWoS封裝技術(shù)已成為整合AI芯片的絕對(duì)核心平臺(tái)，這標(biāo)志著代工巨頭在“存儲(chǔ)-邏輯”協(xié)同層面已掌握了關(guān)鍵話語(yǔ)權(quán)。在當(dāng)下一榮俱榮，一損俱損的市場(chǎng)需求失衡背景下，國(guó)內(nèi)邏輯代工廠商也極有可能復(fù)制這一路徑實(shí)現(xiàn)跨界。

DRAM高壁壘下，NAND緣何成首選

從技術(shù)可行性看，DRAM結(jié)構(gòu)精密，依賴特殊的電容結(jié)構(gòu)，制程微縮難度極大，技術(shù)壁壘被少數(shù)巨頭牢牢掌控。而3D NAND技術(shù)的核心，是大量存儲(chǔ)單元在垂直方向上的重復(fù)堆疊，競(jìng)爭(zhēng)焦點(diǎn)在于刻蝕、薄膜沉積等工藝的精密控制，而這些工藝正是邏輯芯片代工廠在制造先進(jìn)制程芯片時(shí)已經(jīng)熟練掌握并持續(xù)投入的核心能力，進(jìn)入門(mén)檻和壁壘都相對(duì)較低。業(yè)內(nèi)專家指出，基于國(guó)內(nèi)現(xiàn)有的28-40nm邏輯芯片產(chǎn)線，只需投入約10%的專用機(jī)臺(tái)，就具備開(kāi)展3D NAND代工的能力，這大大降低了技術(shù)門(mén)檻和成本。

從戰(zhàn)略價(jià)值分析，布局NAND對(duì)代工企業(yè)意義深遠(yuǎn)。它不僅能幫助其為核心客戶提供更完整的“芯片套餐”或供應(yīng)鏈保障，從而形成強(qiáng)大的客戶粘性，還能憑借邏輯與存儲(chǔ)周期的不完全同步，有效平緩自身的業(yè)績(jī)波動(dòng)。但另一方面看，NAND與HBM等AI算力核心品類的距離還是較遠(yuǎn)，或許僅能成為短期平衡的選擇，而無(wú)法像DRAM一樣深度參與AI海量爆發(fā)的市場(chǎng)算力需求。

當(dāng)然，這條跨界之路絕非坦途。代工廠切入NAND領(lǐng)域?qū)⒚媾R一定的前期研發(fā)與資本開(kāi)支、嚴(yán)峻的專利壁壘，以及如何平衡邏輯與存儲(chǔ)產(chǎn)線資源的戰(zhàn)略難題。

然而，本輪存儲(chǔ)價(jià)格風(fēng)暴已傳遞出一個(gè)清晰的信號(hào)：產(chǎn)業(yè)融合或許是當(dāng)下代工廠商另辟蹊徑的一個(gè)趨勢(shì)，它正在重塑芯片行業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)規(guī)則。未來(lái)的競(jìng)爭(zhēng)，將不再是單一產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)，而是生態(tài)協(xié)同能力與供應(yīng)鏈韌性的全面比拼。從長(zhǎng)遠(yuǎn)看，具備多品類芯片制造能力的“綜合型代工平臺(tái)”，或許能更好地應(yīng)對(duì)未來(lái)電子系統(tǒng)高度集成化與定制化的需求，在產(chǎn)業(yè)融合的浪潮中構(gòu)建更穩(wěn)固的護(hù)城河。