近日，年度國際第三代半導(dǎo)體行業(yè)盛會——第十一屆國際第三代半導(dǎo)體論壇&第二十二屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS&SSLCHINA 2025）在廈門隆重召開，本屆論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、廈門大學(xué)（XMU）共同主辦，以“鏈通全球·芯動未來”為主題，匯聚全球頂級精英，技術(shù)與產(chǎn)業(yè)并舉，全面覆蓋半導(dǎo)體照明和第三代半導(dǎo)體及相關(guān)領(lǐng)域的前沿?zé)狳c、技術(shù)應(yīng)用與產(chǎn)業(yè)趨勢。

期間，在“氮化鎵功率電子器件技術(shù)”分論壇上，香港大學(xué)先進(jìn)半導(dǎo)與集成電路研究中心副主任、教授張宇昊做了“面向系統(tǒng)應(yīng)用的氮化鎵功率器件的穩(wěn)定性、可靠性和魯棒性”的主題報告。氮化鎵器件通過在效率、開關(guān)頻率等方面實現(xiàn)前所未有的改進(jìn)，正在徹底改變電力電子技術(shù)。然而，GaN的材料成分、器件架構(gòu)和操作物理與硅和碳化硅技術(shù)有著根本的不同，這些區(qū)別在穩(wěn)定性、可靠性和魯棒性方面帶來了獨特的挑戰(zhàn)，這些挑戰(zhàn)對于實際部署仍然至關(guān)重要。

報告介紹了對這些挑戰(zhàn)的最新見解，特別強(qiáng)調(diào)動態(tài)開關(guān)行為及其對功率轉(zhuǎn)換器性能的影響。包括關(guān)鍵器件參數(shù)的動態(tài)不穩(wěn)定性，如導(dǎo)通電阻、閾值電壓和輸出電容，以及器件在雪崩、過電壓和短路應(yīng)力下的魯棒性。還討論柵極和漏極開關(guān)操作的可靠性和壽命。報告重點介紹了與新興航空航天和量子系統(tǒng)應(yīng)用相關(guān)的GaN器件在低溫下的行為研究。并概述了這些領(lǐng)域的知識差距和當(dāng)前的研究機(jī)會，以指導(dǎo)GaN電力電子的未來發(fā)展。

（根據(jù)現(xiàn)場資料整理，僅供參考）