設(shè)備低吟、氣流輕嘯，數(shù)字在中控大屏上跳躍……

日前，在洛陽(yáng)市孟津區(qū)，走進(jìn)洛陽(yáng)中硅高科技有限公司年產(chǎn)300噸碳化硅項(xiàng)目現(xiàn)場(chǎng)，閃著金屬光澤的反應(yīng)爐內(nèi)，硅原子與碳原子在高溫下進(jìn)行重構(gòu)、生長(zhǎng)，最終沉淀為碳化硅晶體。

“這是我們獨(dú)創(chuàng)的碳化硅制備新技術(shù)，也是首條規(guī)?；瘧?yīng)用該技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化示范線。”中硅高科相關(guān)負(fù)責(zé)人何偉話語(yǔ)自信，“靠著創(chuàng)新技術(shù)帶來(lái)的品質(zhì)優(yōu)勢(shì)，項(xiàng)目已進(jìn)入滿產(chǎn)狀態(tài)，排產(chǎn)已經(jīng)到四個(gè)月以后。”

碳化硅是第三代半導(dǎo)體核心材料，相較于傳統(tǒng)硅材料，擁有耐高壓、耐高溫和優(yōu)異高頻性能等優(yōu)勢(shì)，在新能源汽車、光伏發(fā)電、智能電網(wǎng)、軌道交通及航空航天等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，是支撐我國(guó)集成電路乃至高端裝備產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)的關(guān)鍵材料。

“高純碳化硅制備是產(chǎn)業(yè)鏈上游的‘第一道關(guān)口’，碳化硅的品質(zhì)如何，直接決定著碳化硅芯片等產(chǎn)品的性能。”何偉介紹。

經(jīng)檢測(cè)，經(jīng)由該技術(shù)路線生產(chǎn)的碳化硅產(chǎn)品，質(zhì)量水平較傳統(tǒng)工藝大幅提高，可實(shí)現(xiàn)下游碳化硅芯片等產(chǎn)品良率提升、成本降低，為我國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)規(guī)?；⒌统杀緫?yīng)用提供基礎(chǔ)原料保障。

創(chuàng)新技術(shù)的落地轉(zhuǎn)化，正催生出強(qiáng)勁的產(chǎn)業(yè)動(dòng)能。自2025年初投產(chǎn)以來(lái)，碳化硅生產(chǎn)項(xiàng)目產(chǎn)品已成功應(yīng)用于12英寸碳化硅晶圓制備。隨著產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用加速，2025年，中硅高科產(chǎn)值預(yù)計(jì)較2024年翻番。

近年來(lái)，中硅高科始終堅(jiān)持把科技創(chuàng)新作為引領(lǐng)發(fā)展的第一動(dòng)力，成功將高端芯片材料技術(shù)成果轉(zhuǎn)化為22種產(chǎn)品，其中7種產(chǎn)品市場(chǎng)占有率達(dá)到國(guó)內(nèi)第一，成為50余家國(guó)內(nèi)集成電路企業(yè)的重要供應(yīng)商。除在第三代半導(dǎo)體材料領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)革新突破外，目前，企業(yè)超高純硅基電子材料制備技術(shù)整體居國(guó)際先進(jìn)水平，硅基電子氣體制備技術(shù)達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。

黨的二十屆四中全會(huì)審議通過(guò)的“十五五”規(guī)劃建議提出，全鏈條推動(dòng)集成電路等重點(diǎn)領(lǐng)域關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)取得決定性突破。這為企業(yè)進(jìn)一步加大產(chǎn)品研發(fā)指明了方向、注入了動(dòng)力。

未來(lái)，中硅高科將聚焦集成電路產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展，進(jìn)一步加大技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)品應(yīng)用力度，全力攻克基礎(chǔ)材料“卡脖子”難題，為“中國(guó)芯”加快實(shí)現(xiàn)高水平科技自立自強(qiáng)貢獻(xiàn)一臂之力。

來(lái)源：孟津融媒