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電子科技大學在寬禁帶半導體GaN功率器件及其高效電力電子應(yīng)用研究領(lǐng)域取得研究進展

九峰山實驗室發(fā)布最新成果，一年可為超大型AI算力中心省3億度電

長春光機所聯(lián)合東方理工大學研究團隊在寬禁帶氮化物載流子動力學研究方面取得重要進展

北大楊學林、沈波團隊在氮化鎵外延材料中位錯的原子級攀移動力學研究上取得重要進展

Nature Review EE：第三代半導體和電力電子是實現(xiàn)碳中和的關(guān)鍵路徑

大連理工大學學生團隊攻克新型電力系統(tǒng)抗擾動能力弱難題

復旦微電子學院季力教授團隊在金屬-絕緣體-半導體(MIS)結(jié)構(gòu)的光催化水裂解電極方向取得成果

我國攻克1200V以上增強型氮化鎵電力電子芯片量產(chǎn)技術(shù)

西安電子科技大學攻克 1200V 以上增強型氮化鎵電力電子芯片量產(chǎn)技術(shù)

廈門大學康俊勇教授團隊：人工智能無損表征技術(shù)，助力SiC晶體生長

成果推薦| 基于凹槽二次外延技術(shù)的p-GaN柵極增強型電力電子器件

北大團隊研發(fā)超低動態(tài)電阻氮化鎵高壓器件，耐壓能力大于6500V

九峰山實驗室著力破解太赫茲器件頻率瓶頸

我國芯片領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)新突破算力提升三千余倍

俄亥俄州立大學的碳化硅MOSFET可靠性研究之短路能力

簡述電力電子中 IGBT 散熱器選型應(yīng)用

Nature Electronics 電力電子首篇綜述 - 功率器件的多維結(jié)構(gòu)

電力電子中 IGBT 散熱器選型應(yīng)用

國際首臺基于自主6.5kV/400A SiC MOSFET模塊的35kV/5MW電力電子變壓器順利通過全部型式試驗

基于原子層沉積技術(shù)的具有常溫相變能力的鎢摻雜二氧化釩兼容于8寸晶圓及PI薄膜

基于微結(jié)構(gòu)納米復合薄膜的超靈敏柔性壓力傳感器

新研究顯示立方砷化硼有潛力成為比硅更優(yōu)良的半導體材料

先進碳化硅技術(shù)助力儲能系統(tǒng)

?Wolfspeed：先進碳化硅技術(shù)，助力簡化半導體設(shè)備設(shè)計

第四代SiC MOSFET 突破電力電子領(lǐng)域邊界

SK海力士開發(fā)出下一代智能內(nèi)存芯片技術(shù)PIM

日企致力于開發(fā)功率器件應(yīng)用材料以減工時

高壓大功率碳化硅電力電子器件研制進展

南京大學電子科學與工程學院研究團隊與華為合作成功研制智能表面新架構(gòu)助力5G網(wǎng)絡(luò)性能提升

固體所研發(fā)出新型高效固態(tài)熱二極管

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