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深圳平湖實驗室100V GaN功率器件綜合性能達行業(yè)先進水平

南京理工大學(xué)微電子學(xué)院在SiC功率半導(dǎo)體領(lǐng)域最新研究成果

關(guān)鍵進展！深圳平湖實驗室高壓650V GaN功率器件綜合性能達國際先進水平

上海微系統(tǒng)所在IEDM 2025上發(fā)布面向功率器件設(shè)計的智能化電熱建模與參數(shù)提取新方案

小米手機射頻團隊論文入選 IEDM 2025，率先報道了應(yīng)用于移動終端的高效率低壓硅基氮化鎵射頻功率放大器

電子科技大學(xué)在寬禁帶半導(dǎo)體GaN功率器件及其高效電力電子應(yīng)用研究領(lǐng)域取得研究進展

北京大學(xué)在IEEE ISPSD發(fā)表2項寬禁帶半導(dǎo)體功率器件重要技術(shù)進展

中科院微電子所黃森、劉新宇團隊在GaN外延位錯傳導(dǎo)載流子及其導(dǎo)致功率電子器件可靠性退化機制方面取得重要進展

南京大學(xué)團隊在國際功率半導(dǎo)體會議ISPSD上發(fā)布兩項宇航用氮化鎵功率器件輻照效應(yīng)研究成果

科研成果| 硅基金剛石熱沉在GaN功率放大器中的應(yīng)用

浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院PEDL團隊五項重要成果在功率器件頂級會議ISPSD發(fā)表

新成果！深圳大學(xué)在寬禁帶半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域取得突破性進展

集成電路學(xué)院功率集成技術(shù)實驗室第9次斬獲IEEE ISPSD 發(fā)表論文數(shù)全球第一

九峰山實驗室推氧化鎵科研級功率單管及coupon to wafer流片平臺

西電張進成教授等在金剛石高壓功率器件領(lǐng)域取得重要進展

浙江大學(xué)柯徐剛研究員團隊發(fā)布應(yīng)用于大功率AI數(shù)據(jù)中心的第三代半導(dǎo)體氮化鎵高效率智能供電芯片

中國科大楊樹教授和龍世兵教授課題組在垂直型GaN功率晶體管研究方向取得重要進展

我國在太空成功驗證第三代半導(dǎo)體材料制造的功率器件

中國首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功通過太空驗證

中國太空科技新突破！首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功并驗證

南京郵電大學(xué)研究團隊在用于低功率光通信的GaN/CuI異質(zhì)結(jié)構(gòu)紫外光伏探測器取得進展

北京大學(xué)團隊在GaN基功率電子器件研究上取得系列重要進展

北大集成電路學(xué)院研究團隊在GaN基功率電子器件研究上取得系列重要進展

南京大學(xué)在宇航用抗輻照GaN功率器件方面取得新進展

脈沖模式下輸出功率超15 W的氮化鎵藍光激光器

西湖大學(xué)工學(xué)院仇旻團隊研究進展 | 4H-SiC超透鏡：抑制高功率激光輻照的熱漂移效應(yīng)

廈門大學(xué)與三安光電關(guān)于大功率激光器壽命研究取得新進展

英飛凌推出全球最薄硅功率晶圓，突破技術(shù)極限并提高能效

睿創(chuàng)微納在微波功率放大器研究中取得重要進展

從三種充電方式，解鎖不同功率電動汽車充電樁設(shè)計方案全攻略

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