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NCT成功開發(fā)一種DG氧化鎵晶體
生
長法,有望將氧化鎵襯底成本降低九成!
NCT
氧化鎵
晶體生長
氧化鎵襯底
90%
評論 ?
2025-12-23 08:53
Science Advances:南京大學聯(lián)合團隊突破外延襯底限制,實現(xiàn)非晶襯底上高質量半導體薄膜外延
生
長
評論 ?
2025-07-30 12:11
科研成果 | 光子循環(huán)再
生
新突破:利用未逃逸光子再
生
空穴,突破深紫外LED空穴注入效率和光提取效率瓶頸 最新成果
評論 ?
2025-07-24 13:53
武大、西電合作攻克范德華外延氮化鎵高質量成核與
生
長難題,為跨材料、跨功能的寬禁帶半導體異構集成掃清了關鍵障礙
評論 ?
2025-07-08 17:34
新突破!我國成功研發(fā)蚊子大小仿
生
機器人
評論 ?
2025-06-19 14:17
采用金屬有機化學氣相沉積原位脈沖鋁原子輔助法
生
長的(001)β-Ga2O3外延層
評論 ?
2025-03-28 16:11
臺積電亞利桑那州工廠已開始
生
產4nm芯片
評論 ?
2025-01-13 17:26
杭州鎵仁半導體實現(xiàn)直拉法2英寸N型氧化鎵單晶
生
長
評論 ?
2024-11-29 09:51
大連理工大學學
生
團隊攻克新型電力系統(tǒng)抗擾動能力弱難題
評論 ?
2024-11-08 11:15
鎵仁半導體:鑄造法成功
生
長超厚6英寸氧化鎵單晶!
評論 ?
2024-10-29 19:59
水稻“
生
出”半導體材料,我國團隊實現(xiàn)了!
評論 ?
2024-10-10 16:15
北京大學深圳研究
生
院在高性能低維柔性電子集成方向取得重要進展
評論 ?
2024-10-08 09:01
中國科大在仿
生
光電神經(jīng)感知器件領域取得新突破
評論 ?
2024-09-12 20:58
半導體所等在砷化鎵(GaAs)中產
生
自旋極化研究方面取得進展
評論 ?
2024-07-22 11:42
科學家提出傾斜臺階面外延
生
長菱方氮化硼單晶方法
評論 ?
2024-05-06 11:06
厚度達100 mm! 碳化硅單晶
生
長取得新進展
評論 ?
2024-04-29 07:34
廈門大學康俊勇教授團隊:人工智能無損表征技術,助力SiC晶體
生
長
評論 ?
2024-03-29 10:53
日本初創(chuàng)公司開發(fā)功率半導體
生
產新材料 成本降低75%
評論 ?
2024-03-06 13:19
重慶研究院發(fā)展出仿
生
“視聽”光電探測器
評論 ?
2024-02-26 09:53
昆明理工大學在溶液法
生
長高純3C-SiC晶體研究方面取得進展
評論 ?
2024-01-26 17:37
中科院物理所陳小龍團隊:晶圓級立方碳化硅單晶
生
長取得突破
中國科學院
物理研究所
陳小龍
異質籽晶
同質籽晶
生長
評論 ?
2024-01-15 13:26
4H-SiC 中基面位錯滑移帶表征和外延傳播
4H
SiC
晶體缺陷
晶體生長
評論 ?
2024-01-02 15:38
太原理工大學和武漢大學在金剛石/氮化鎵薄膜
生
長工藝與熱物性表征領域研究進展
評論 ?
2023-12-18 10:20
復旦大學李自清青年副研究員、方曉
生
教授:低維寬禁帶半導體紫外光探測器
評論 ?
2023-09-06 21:03
實現(xiàn)
生
成式AI的關鍵半導體技術
評論 ?
2023-08-11 15:08
一體化芯片同時集成激光器和光子波導,有望催
生
更精確原子鐘實驗
評論 ?
2023-08-11 10:42
簡述GaN 外延
生
長方法及
生
長模式
評論 ?
2023-06-08 16:20
基于全HVPE
生
長、具有創(chuàng)紀錄的高品質優(yōu)值(1.1 GW/cm2)的垂直GaN肖特基勢壘二極管
評論 ?
2023-06-08 09:44
科友6/8英寸碳化硅規(guī)模化
生
產取得重大技術突破
評論 ?
2023-05-12 17:05
中國半導體十大研究進展候選推薦——溶液
生
長BiI/BiI3范德華異質結構實現(xiàn)高靈敏X-射線探測
評論 ?
2023-04-19 17:59
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