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半導體所、新疆理化所采用386nm近紫外GaN基激光器直接倍頻實現193nm深紫外激光

科研成果 | 氮化物半導體深紫外LED技術現狀及應用

突破！南京大學團隊打造連續(xù)穩(wěn)定工作超萬小時的高可靠性SiC紫外單光子探測器

AlGaN基遠紫外光源芯片發(fā)光效率增強關鍵技術研究——第三代半導體技術十大進展成果推介

AlGaN深紫外發(fā)光二極管光子輸運行為研究和高效率器件研制

北京大學許福軍、沈波團隊成功實現高性能中波紫外發(fā)光器件制備

中國科學技術大學在水陸兩棲紫外光電器件領域取得重要進展

科研成果 | 唐寧、沈波團隊與合作者利用深紫外光譜在原子級薄超寬禁帶半導體能帶結構研究方面取得重要進展

中國科學技術大學孫海定教授團隊ACS Nano：用于皮膚健康防護的可穿戴水陸兩棲紫外線探測器

科研成果 | 光子循環(huán)再生新突破：利用未逃逸光子再生空穴，突破深紫外LED空穴注入效率和光提取效率瓶頸最新成果

沙特KAUST李曉航團隊：STO新型制備工藝實現2.3微米超小尺寸深紫外Micro-LED

中科院蘇州納米所孫錢團隊與合作者在氮化鎵紫外探測領域取得新進展

金剛石高溫日盲紫外探測器取得新進展

中南大學何軍、鐘綿增，浙江大學李京波：通過調控電場分布實現高均勻性的耐高壓晶圓級4H-SiC紫外光電探測器

中國科學技術大學在日盲紫外光電探測器研究中取得新進展

寧波材料所在超寬禁帶半導體基日盲紫外探測領域取得系列進展

中國科學院聯合納米器件研究部在日盲紫外探測領域取得新進展

西安交大科研人員制備出全球首款六方氮化硼同質結深紫外LED芯片

南京郵電大學研究團隊在用于低功率光通信的GaN/CuI異質結構紫外光伏探測器取得進展

半導體所在基于氧化鎵的日盲紫外偏振光探測器方面取得新進展

許福軍、沈波團隊成功實現垂直注入AlGaN基深紫外發(fā)光器件的晶圓級制備

廈大程其進／張洪良團隊: 高精度日盲紫外光電探測器重要新進展

Nature Photonics | 基于深紫外microLED顯示的無掩膜光刻技術與應用示范

中科大孫海定iGaN實驗室研究三維垂直集成microLED陣列實現無掩膜深紫外光刻新技術

國內高校實現Micro LED技術突破，涉及深紫外、光通訊

極紫外光刻新技術問世能大幅提高能源效率并降低半導體制造成本

Nano Lett.∣高效載流子倍增實現紫外光電探測器EQE突破

北京大學取得AlGaN基深紫外發(fā)光二極管器件結構及其制備方法專利，顯著提升器件的光輸出功率

西交大科研人員在hBN真空紫外探測器領域取得重要進展

半導體所研制出室溫連續(xù)功率4.6W的GaN基大功率紫外激光器

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