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南京理工大學(xué)微電子學(xué)院在SiC功率半導(dǎo)體領(lǐng)域最新研究成果

中國(guó)科學(xué)院微電子所在4H/3C-SiC 單晶復(fù)合襯底與器件方面取得重要進(jìn)展

廈大物理團(tuán)隊(duì)突破SiC雪崩探測(cè)器技術(shù)瓶頸，新型結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)低電壓高增益探測(cè)

突破！南京大學(xué)團(tuán)隊(duì)打造連續(xù)穩(wěn)定工作超萬小時(shí)的高可靠性SiC紫外單光子探測(cè)器

萬伏級(jí)SiC MOSFET器件的研制及其產(chǎn)業(yè)化技術(shù)——2025年度中國(guó)第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進(jìn)展候選成果TOP30推介

激光隱形切割SiC晶錠效率大幅提升！國(guó)創(chuàng)中心（蘇州）大尺寸碳化硅激光切割技術(shù)取得突破性進(jìn)展

國(guó)際首發(fā)！深圳平湖實(shí)驗(yàn)室研制8英寸4°傾角4H-SiC上高質(zhì)量GaN外延

深圳平湖實(shí)驗(yàn)室在SiC激光剝離技術(shù)領(lǐng)域取得新進(jìn)展，性能指標(biāo)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平

連科半導(dǎo)體8吋/12吋SiC電阻爐及工藝成套技術(shù)取得突破

中南大學(xué)何軍、鐘綿增，浙江大學(xué)李京波：通過調(diào)控電場(chǎng)分布實(shí)現(xiàn)高均勻性的耐高壓晶圓級(jí)4H-SiC紫外光電探測(cè)器

基于新型SiC復(fù)合襯底的低成本MOSFET取得重要進(jìn)展

西湖大學(xué)工學(xué)院仇旻團(tuán)隊(duì)研究進(jìn)展 | 4H-SiC超透鏡：抑制高功率激光輻照的熱漂移效應(yīng)

利用SiC模塊進(jìn)行電動(dòng)壓縮機(jī)設(shè)計(jì)要點(diǎn)

《Applied Physics Letters》發(fā)表西電大馬曉華教授研究組科研成果

江蘇通用半導(dǎo)體成功實(shí)現(xiàn)剝離出130um厚度超薄SiC晶圓片

廈門大學(xué)康俊勇教授團(tuán)隊(duì)：人工智能無損表征技術(shù)，助力SiC晶體生長(zhǎng)

昆明理工大學(xué)在溶液法生長(zhǎng)高純3C-SiC晶體研究方面取得進(jìn)展

山東大學(xué)彭燕、徐現(xiàn)剛團(tuán)隊(duì)在面向大功率高效散熱GaN器件用金剛石-碳化硅復(fù)合襯底的進(jìn)展

4H-SiC 中基面位錯(cuò)滑移帶表征和外延傳播

SiC主驅(qū)逆變器讓電動(dòng)汽車延長(zhǎng)5%里程的秘訣

工藝打通！九峰山實(shí)驗(yàn)室全面啟動(dòng)碳化硅（SiC）工藝技術(shù)服務(wù)

國(guó)內(nèi)8英寸SiC傳來新進(jìn)展！

CASA發(fā)布《SiC MOSFET功率器件的應(yīng)用可靠性評(píng)價(jià)技術(shù)體系報(bào)告》

第三代半導(dǎo)體SiC芯片關(guān)鍵裝備現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì)

簡(jiǎn)述SiC碳化硅單晶的生長(zhǎng)原理

簡(jiǎn)述高壓 SiC MOSFET 研究現(xiàn)狀與展望

簡(jiǎn)述選擇GaN或SiC器件的重點(diǎn)

重要發(fā)現(xiàn)！3C-SiC有望PK單晶金剛石，成為高導(dǎo)熱材料的選擇

SiC工藝之質(zhì)子注入缺陷抑制技術(shù)解決碳化硅層錯(cuò)難題

SiC MOSFET功率模塊的各種參數(shù)電動(dòng)汽車

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