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昌龍智芯半導體功率
器
件項目投資超5億元
評論 ?
2024-12-31 15:59
行業(yè)Top級廠商齊聚功率
器
件展區(qū)!CSE 2025等您來探!
評論 ?
2024-12-27 19:41
功率半導體
器
件研發(fā)商中微創(chuàng)芯完成近億元Pre-B輪融資
評論 ?
2024-12-27 14:39
武漢敏聲高端射頻濾波
器
生產(chǎn)線項目封頂
評論 ?
2024-12-27 09:37
廣州華瑞升陽申請寬禁帶半導體
器
件專利,降低寬禁帶半導體
器
件導通損耗和柵介質(zhì)層擊穿風險
評論 ?
2024-12-26 09:56
總投資7.5億元,星曜半導體5G射頻濾波
器
芯片晶圓產(chǎn)線項目投產(chǎn)
評論 ?
2024-12-24 15:10
晶體材料及元
器
件廠商飛銳特完成數(shù)千萬元A輪融資
評論 ?
2024-12-24 13:52
士蘭微“用于LLC諧振變換
器
的恒流控制電路及恒流控制方法”專利獲授權(quán)
評論 ?
2024-12-24 10:34
浙之芯申請一種氮化鎵傳感
器
及制備方法和裝置專利,大大提高氮化鎵傳感
器
的制備效率
評論 ?
2024-12-20 15:59
光迅科技高端光電子
器
件產(chǎn)業(yè)基地一期達產(chǎn)
評論 ?
2024-12-20 11:14
上海燁映微電子申請 GaN 晶體管與柵極驅(qū)動
器
合封專利,實現(xiàn)高頻能力
評論 ?
2024-12-19 16:26
杭州芯邁半導體技術(shù)申請一種功率開關(guān)
器
件專利,提高了
器
件的功率密度
評論 ?
2024-12-19 15:58
成都氮矽科技申請 N 面增強型 GaN 雙向功率
器
件專利,提高
器
件的抗輻照能力
評論 ?
2024-12-19 15:43
揚杰電子申請?zhí)岣叻聪蚶m(xù)流的雙溝槽SiC MOSFET
器
件專利,改善溝槽MOSFET柵氧化層可靠性
評論 ?
2024-12-19 14:49
上海積塔半導體申請?zhí)蓟杈w管結(jié)構(gòu)及其制備方法專利,有效降低
器
件VFSD
評論 ?
2024-12-19 14:48
華虹半導體申請集成半導體
器
件及其制備方法專利,提高芯片整體抗EMI能力
評論 ?
2024-12-19 13:37
總投資3億元,深矽微科技功率
器
件封裝生產(chǎn)基地項目首批設(shè)備正式進場
評論 ?
2024-12-19 11:56
氮化鎵功率電子
器
件技術(shù)進展探討(三)?|IFWS&SSLCHINA2024
評論 ?
2024-12-18 16:34
CSA半導體激光
器
專業(yè)委員會正式成立,并成功召開第一屆一次會議
評論 ?
2024-12-18 15:37
氮化鎵功率電子
器
件技術(shù)進展探討(二)|IFWS&SSLCHINA2024
評論 ?
2024-12-17 16:33
氮化鎵功率電子
器
件技術(shù)進展探討(一) |IFWS&SSLCHINA2024
評論 ?
2024-12-16 17:13
吳偉東:SiC功率MOSFET老化檢測智能柵極驅(qū)動
器
評論 ?
2024-12-16 10:45
光谷筑芯微電子精密
器
件智造基地(首開區(qū)) 項目喜封金頂!
評論 ?
2024-12-13 09:23
“2024年度(第十七屆)華強電子網(wǎng)優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商&電子元
器
件行業(yè)優(yōu)秀國產(chǎn)品牌評選”進入公眾投票階段
評論 ?
2024-12-13 07:11
鎵和半導體李山: 氧化鎵PECVD外延生長及光電信息感知
器
件研究
評論 ?
2024-12-12 15:51
碳化硅功率
器
件及其封裝技術(shù)(二)|IFWS&SSLCHINA2024
評論 ?
2024-12-10 15:02
專家說丨化合物半導體
器
件的三大方向進展
評論 ?
2024-12-10 11:36
埃米儀
器
獲數(shù)千萬元Pre-A輪融資
評論 ?
2024-12-10 11:15
碳化硅功率
器
件及其封裝技術(shù)發(fā)展探討(一)|IFWS&SSLCHINA2024
評論 ?
2024-12-09 11:40
中微公司陳丹瑩:PRISMO PDS8–用于SiC功率
器
件外延生長的CVD設(shè)備 |?IFWS&SSLCHINA2024
評論 ?
2024-12-05 11:07
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