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百盛光電年產(chǎn)600萬片高精密晶圓基板擴(kuò)建項(xiàng)目奠基

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|臺(tái)灣陽明交通大學(xué)郭浩中：GaN基UVC和Micro LED技術(shù)最新進(jìn)展

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|名城大學(xué)教授Satoshi Kamiyama：GaN納米線和GaInN基多量子殼晶體生長(zhǎng)和光子器件應(yīng)用

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|名古屋大學(xué)特聘教授Tohru Oka：基于SPICE模擬的垂直GaN MOSFET性能預(yù)測(cè)和損耗分析

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)孫海定：基于Ⅲ族氮化物的微型紫外光譜成像儀

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|荷蘭代爾夫特理工大學(xué)杜雷鳴：納米金屬顆?；ミB的燒結(jié)基礎(chǔ)

上海發(fā)布新政聚焦未來產(chǎn)業(yè)，將設(shè)150億元未來產(chǎn)業(yè)基金

中國(guó)科學(xué)院院士杜江峰榮獲2025年度扎沃伊斯基獎(jiǎng)

武漢江城實(shí)驗(yàn)室先進(jìn)封裝中試平臺(tái)二期及產(chǎn)業(yè)化基地開工

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米格實(shí)驗(yàn)室獲天府之星基金戰(zhàn)略增資，助力西部科學(xué)城科創(chuàng)生態(tài)升級(jí)

四方光電擬投資6億元建設(shè)高端傳感器產(chǎn)業(yè)基地

總投資3億元，合肥深合智聯(lián)泛半導(dǎo)體項(xiàng)目奠基

弘景光電擬投建研發(fā)制造總部基地總投資15.33億元強(qiáng)化光電產(chǎn)業(yè)布局

2025云南晶體大會(huì)前瞻|廈門大學(xué)林光楊：硅基IV族半導(dǎo)體材料異質(zhì)集成及其光電器件

芯屏并舉，粵啟新程 | 中微公司華南總部研發(fā)及生產(chǎn)基地項(xiàng)目盛大開工

中微公司華南總部研發(fā)及生產(chǎn)基地項(xiàng)目盛大開工

北京集成電路產(chǎn)教融合基地正式交付使用，總建筑面積超10萬平方米

2025云南晶體大會(huì)前瞻|?鑫耀半導(dǎo)體劉漢保：基于VGF法的低氧含量半絕緣砷化鎵單晶生長(zhǎng)工藝優(yōu)化及電學(xué)性質(zhì)研究

2025云南晶體大會(huì)前瞻|?廈門大學(xué)梅洋：GaN基VCSEL技術(shù)進(jìn)展

拓荊科技擬定增募資不超46億元，用于高端半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)項(xiàng)目等

投資1.2億元松下電子半導(dǎo)體封裝材料新工廠項(xiàng)目奠基

2025云南晶體大會(huì)前瞻|?中國(guó)科學(xué)院長(zhǎng)春光機(jī)所蔣科：基于三族氮化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的光憶阻器研究

2025云南晶體大會(huì)前瞻| 劉紀(jì)美院士：用于集成的硅基III-V器件

一期投資20億元亞芯電子6英寸硅基芯片生產(chǎn)項(xiàng)目簽約福建

2025云南晶體大會(huì)前瞻|西安電子科技大學(xué)陶鴻昌：氧化鎵異質(zhì)外延成核調(diào)控及肖特基二極管（SBD）勢(shì)壘均勻性研究

2025云南晶體大會(huì)前瞻|廈門大學(xué)盧衛(wèi)芳：GaN/InGaN基核-殼納米結(jié)構(gòu)選區(qū)外延及其Micro-LED器件制備研究

總投資35億元，奧松半導(dǎo)體8英寸MEMS特色芯片IDM產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目通線投產(chǎn)

2025云南晶體大會(huì)前瞻|北京大學(xué)王嘉銘：III族氮化物AlGaN基紫外發(fā)光器件結(jié)構(gòu)堆垛研究

2025云南晶體大會(huì)前瞻|云南大學(xué)王茺：GaSb基異質(zhì)薄膜的磁控濺射生長(zhǎng)機(jī)理及其光電探測(cè)性能研究

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