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合肥晶合集成電路申請(qǐng)一種半導(dǎo)體器件的制作方法專利，能夠提高半導(dǎo)體器件的性能

無(wú)錫博通申請(qǐng)半橋GaN增強(qiáng)型開關(guān)器件及其制備方法專利，保證器件的高速開關(guān)

榮耀“封裝芯片結(jié)構(gòu)及其加工方法、和電子設(shè)備”專利獲授權(quán)

蘇州敏芯微電子申請(qǐng)力傳感器的封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法專利，解決現(xiàn)有力傳感器力傳遞靈敏度低的問(wèn)題

蘇州高視半導(dǎo)體申請(qǐng)基于晶圓檢測(cè)系統(tǒng)的晶圓檢測(cè)方法專利，降低晶圓缺陷的檢測(cè)成本

華海清科“驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)的保濕控制方法、晶圓清洗裝置、存儲(chǔ)介質(zhì)”專利公布

北方華創(chuàng)“一種進(jìn)氣管的清洗方法及半導(dǎo)體工藝設(shè)備”專利公布

上海華虹宏力申請(qǐng)接觸孔自對(duì)準(zhǔn)的MOSFET制造方法專利

華潤(rùn)微“一種LIGBT器件及其制備方法”專利公布

華虹宏力“一種嵌入式肖特基MOSFET制作方法”專利公布

杭州鎵仁半導(dǎo)體申請(qǐng)氧化鎵單晶襯底拋光片劃片方法專利，減少切割道周邊晶片解理、崩裂和微裂紋等缺陷的產(chǎn)生

長(zhǎng)電科技“腔體式封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法”專利獲授權(quán)

和其光電“用于光纖傳感器封裝的高精密多維調(diào)節(jié)對(duì)位系統(tǒng)及方法”專利獲授權(quán)

長(zhǎng)電科技“腔體式封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法”專利獲授權(quán)

格蘭菲申請(qǐng)功率半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，有利于終端區(qū)面積縮小

通富微電“半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)的控制方法及半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)”專利公布

忱芯科技申請(qǐng)?zhí)蓟韫β拾雽?dǎo)體器件的驅(qū)動(dòng)板和測(cè)試方法專利

長(zhǎng)宇科技取得一項(xiàng)外延生長(zhǎng)基盤用高均質(zhì)性特種石墨材料的制備方法專利，能夠保持產(chǎn)品制備的穩(wěn)定性

晶合集成申請(qǐng)一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法及動(dòng)態(tài)調(diào)整系統(tǒng)專利，提高半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的良率

揚(yáng)杰科技申請(qǐng)一種多導(dǎo)電溝道的平面柵 MOSFET 及制備方法專利，降低平面柵垂直導(dǎo)電 MOSFET 導(dǎo)通電阻

龍騰股份取得 SGT-MOSFET 半導(dǎo)體器件制備方法相關(guān)專利，避免出現(xiàn)第一氧化層過(guò)薄

芯源微獲得發(fā)明專利授權(quán)：“晶圓搬運(yùn)裝置及晶圓搬運(yùn)方法”

芯導(dǎo)科技申請(qǐng)一種 T 型溝槽柵碳化硅 MOSFET 器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，提高了柵極可靠性

揚(yáng)杰科技申請(qǐng)“一種提高可靠性能力的碳化硅二極管及其制備方法”專利，提高器件的高壓 H3TRB 的可靠性

智芯微“光刻膠均勻覆蓋晶圓表面的仿真方法”專利公布

士蘭微“MEMS微鏡及其制備方法”專利獲授權(quán)

揚(yáng)杰科技申請(qǐng)一種改善雙極退化的碳化硅 MOSFET 器件及制備方法的專利

盛合晶微半導(dǎo)體（江陰）申請(qǐng) 3D 垂直互連封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，實(shí)現(xiàn)高密度封裝

華羿微電取得一種寬 SOA 屏蔽柵 MOSFET 器件及制備方法專利，提升器件整體的 SOA

中圖科技申請(qǐng)一種高深度微結(jié)構(gòu)圖形化半導(dǎo)體襯底及其制備方法專利

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