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西安奕斯偉材料申請用于外延設(shè)備的處理方法專利

瀚天天成“一種降低碳化硅外延片生長缺陷的方法及碳化硅襯底”專利獲授權(quán)

蘇州晶湛半導(dǎo)體取得半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法專利，提高半導(dǎo)體外延層的性能

河北博威集成電路取得集成 SBD 的碳化硅 MOSFET 器件及其制備方法專利

積塔半導(dǎo)體“基于TDDB優(yōu)化的MOSFET器件及其制備方法”專利公布

捷捷微電取得降低開關(guān)損耗的分離柵MOSFET器件及其制造方法專利，降低了開關(guān)損耗

豪緯集團(tuán)申請一種基于微納陣列結(jié)構(gòu) GaN 基光電子芯片的制備方法專利，有效提高微納結(jié)構(gòu)中有源層的發(fā)光效率

粵芯半導(dǎo)體“一種半導(dǎo)體器件中的互連金屬的沉積方法”專利獲授權(quán)

粵芯半導(dǎo)體“一種半導(dǎo)體器件中的互連金屬的沉積方法”專利獲授權(quán)

CASA立項(xiàng)GaN HEMT非鉗位感性負(fù)載開關(guān)魯棒性測試方法1項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

CASA立項(xiàng)SiC MOSFET動態(tài)/穩(wěn)態(tài)高溫工作壽命試驗(yàn)方法2項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

華羿微電“新型功率MOSFET器件及其制備方法”專利獲授權(quán)

華羿微電“一種低柵極電荷屏蔽柵MOSFET器件及其制作方法”專利獲授權(quán)

芯聯(lián)集成“溝槽型功率器件結(jié)構(gòu)及其制造方法”專利公布

華光光電申請一種大功率半導(dǎo)體激光器晶圓P面圖形化電鍍金的方法專利

派恩杰“集成ESD的SiC功率MOSFET器件及制備方法”專利獲授權(quán)

憶芯科技“支持SR-IOV的NVMe控制器及方法”專利獲授權(quán)

芯聯(lián)集成“半導(dǎo)體器件的制備方法及半導(dǎo)體器件”專利獲授權(quán)

中欣晶圓“12寸退火片的制造方法”專利公布

揚(yáng)杰科技申請降低柵極電容的 SiCMOSFET 及制備方法專利，降低 SiCMOSFET 柵極電容

英諾賽科“含有硅摻雜氮化鋁層的半導(dǎo)體器件及其制造方法”專利獲授權(quán)

中芯集成-U 申請 MEMS 器件及其制備方法專利，避免大量自由電荷堆積在振膜中

芯聚能“碳化硅MOSFET器件及其制備方法”專利公布

清純半導(dǎo)體“半導(dǎo)體功率器件及其制備方法”專利公布

芯聚能“碳化硅MOSFET器件及其制備方法”專利公布

銀河微電申請SiCMOSFET板級封裝優(yōu)化設(shè)計(jì)方法專利，設(shè)計(jì)效率高

晶盛機(jī)電取得晶圓形貌測量方法及設(shè)備專利

三安半導(dǎo)體“氮化鎵功率器件的制備方法、氮化鎵功率器件”專利公布

芯聚能 “功率模塊的封裝方法、裝置和功率模塊”專利獲授權(quán)

北京大學(xué)申請金剛石基氮化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)制備方法專利，能夠得到高質(zhì)量且低熱阻的金剛石基氮化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)

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