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鎵仁半導(dǎo)體成功制備VB法(非銥坩堝)2英寸氧化鎵單晶

杭州鎵仁半導(dǎo)體申請氧化鎵單晶襯底拋光片劃片方法專利，減少切割道周邊晶片解理、崩裂和微裂紋等缺陷的產(chǎn)生

鎵仁半導(dǎo)體推出氧化鎵專用長晶設(shè)備

龍騰股份取得 SGT-MOSFET 半導(dǎo)體器件制備方法相關(guān)專利，避免出現(xiàn)第一氧化層過薄

富加鎵業(yè)年產(chǎn)10000片6英寸氧化鎵單晶及外延片生長線開工

鎵仁半導(dǎo)體成功研制氧化鎵超薄6英寸襯底

總投資8.97億！雅克科技擬建設(shè)球形硅微粉、球形氧化鋁項目

新突破︱鎵仁半導(dǎo)體晶圓級(010)氧化鎵單晶襯底直徑突破3英寸

CASICON晶體大會前瞻|金奎娟院士：光與低維氧化物相互作用研究

銘鎵半導(dǎo)體在氧化鎵材料開發(fā)及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)化方面實現(xiàn)新突破

廈門大學(xué)團隊在第四代半導(dǎo)體氧化鎵材料外延和深紫外探測應(yīng)用領(lǐng)域研究取得重要進展

CSPSD 2024成都前瞻|廣東工業(yè)大學(xué)周賢達：非晶氧化物半導(dǎo)體功率器件：理論極限和初步實現(xiàn)

6英寸氧化鎵單晶實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化

晶旭半導(dǎo)體獲戰(zhàn)略投資協(xié)議，計劃實現(xiàn)年產(chǎn)75萬片ε相氧化鎵外延片（壓電領(lǐng)域用）

第四代半導(dǎo)體迎來新進展相關(guān)A股公司搶抓“新風(fēng)口”

山東大學(xué)徐明升：SiC的高溫氧化研究

IFWS 2023│臺灣成功大學(xué)李清庭：GaN基單片電子器件的集成互補金屬氧化物半導(dǎo)體D模和E模高電子遷移率晶體管

IFWS 2023│廈門大學(xué)徐翔宇：氧化鎵缺陷研究，合金工程電子結(jié)構(gòu)調(diào)制以及日盲光電探測器的開發(fā)

SSLCHINA2023│河北工業(yè)大學(xué)徐庶：量子點氧化物復(fù)合材料的制備及LED應(yīng)用

一顆碳化硅芯片，可節(jié)省一噸二氧化碳當(dāng)量！

日本研發(fā)出氧化鎵低成本制法

廈門大學(xué)教授張洪良：氧化鎵薄膜外延與電子結(jié)構(gòu)研究

南京郵電大學(xué)張茂林：氧化鎵材料生長與陣列探測器研究

廈門大學(xué)徐翔宇：氧化鎵缺陷、合金化電子結(jié)構(gòu)調(diào)控及日盲光電探測器研究

西安電子科技大學(xué)王逸飛：基于氧化鎵材料性能調(diào)控及高性能日盲紫外光電探測器的研究

中國電科46所霍曉青：面向氧化鎵功率器件的大尺寸氧化鎵單晶材料技術(shù)

西安電子科技大學(xué)孫汝軍：氧化鎵的電子態(tài)缺陷研究

中電科13所敦少博：高耐壓氧化鎵功率器件研制進展與思考

CASICON西安站前瞻|西安電子科技大學(xué)王逸飛：基于氧化鎵材料性能調(diào)控及高性能日盲紫外光電探測器的研究

CASICON西安站前瞻|西安電子科技大學(xué)孫汝軍：氧化鎵的電子態(tài)缺陷研究

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