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鎵仁半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)6英寸斜切氧化鎵襯底制備

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揚(yáng)杰電子申請(qǐng)?zhí)岣叻聪蚶m(xù)流的雙溝槽SiC MOSFET器件專利，改善溝槽MOSFET柵氧化層可靠性

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