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河南:積極布局發(fā)展以碳化硅、
氮化
鎵為重點(diǎn)的第三代半導(dǎo)體材料
評(píng)論 ?
2022-02-17 10:08
羅姆:新一代半導(dǎo)體的
氮化
鎵將在2022年春季之前量產(chǎn)
評(píng)論 ?
2022-02-16 15:25
日本羅姆量產(chǎn)5G基站用新一代
氮化
鎵功率半導(dǎo)體
日本
羅姆
量產(chǎn)
5G基站
新一代
氮化鎵
功率半導(dǎo)體
評(píng)論 ?
2022-02-11 08:33
賽微電子:GaN(
氮化
鎵)制造產(chǎn)線正在建設(shè)中
評(píng)論 ?
2022-01-24 09:25
中瓷電子擬收購(gòu)中電科十三所
氮化
鎵基站射頻芯片業(yè)務(wù)、博威集成和國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾部分股權(quán)或全部股權(quán)
評(píng)論 ?
2022-01-18 08:11
納微半導(dǎo)體成立全球首家針對(duì)電動(dòng)汽車的
氮化
鎵功率芯片設(shè)計(jì)中心
評(píng)論 ?
2022-01-17 16:52
DB HiTek 將采用硅基
氮化
鎵技術(shù)改進(jìn) 8 英寸半導(dǎo)體工藝
DB
HiTek
硅基
氮化鎵
8英寸
半導(dǎo)體工藝
評(píng)論 ?
2022-01-05 15:13
第三代半導(dǎo)體-
氮化
鎵(GaN)產(chǎn)業(yè)鏈基本形成
第三代半導(dǎo)體
氮化鎵
GaN
產(chǎn)業(yè)鏈
基本形成
評(píng)論 ?
2021-12-29 15:57
聚燦光電與中科院半導(dǎo)體所開(kāi)發(fā)高性能高光功率
氮化
物
評(píng)論 ?
2021-12-24 18:41
深圳大學(xué)物理與光電工程學(xué)院副院長(zhǎng)武紅磊:
氮化
鋁晶體PVT生長(zhǎng)裝置及技術(shù)研究
評(píng)論 ?
2021-12-23 16:44
中科院蘇州納米研究所司志偉:助熔劑法
氮化
鎵微碟不同極性面的光學(xué)性能
評(píng)論 ?
2021-12-23 16:38
日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所沈旭強(qiáng):無(wú)氨高溫 MOCVD 生長(zhǎng)的高質(zhì)量極性和半極性
氮化
鋁
評(píng)論 ?
2021-12-23 16:29
中科院半導(dǎo)體研究所張逸韻:玻璃襯底
氮化
物異構(gòu)外延
評(píng)論 ?
2021-12-23 16:25
中鎵半導(dǎo)體劉強(qiáng):2英寸低位錯(cuò)密度高電導(dǎo)率和半絕緣
氮化
鎵自支撐襯底的生長(zhǎng)
評(píng)論 ?
2021-12-23 16:20
最新關(guān)注
氮化
物半導(dǎo)體襯底與外延技術(shù)進(jìn)展
評(píng)論 ?
2021-12-23 16:09
基于
氮化
鎵業(yè)務(wù)發(fā)展的考慮 賽微電子(300456.SZ)擬轉(zhuǎn)讓聚能國(guó)際24.5%股權(quán)
氮化鎵
業(yè)務(wù)發(fā)展
賽微電子
聚能國(guó)際
評(píng)論 ?
2021-12-22 16:52
晶方科技擬加強(qiáng)對(duì)第三代半導(dǎo)體
氮化
鎵器件公司VisIC的投資
晶方科技
以色列
第三代半導(dǎo)體
VisIC
投資
評(píng)論 ?
2021-12-20 15:23
西安電子科技大學(xué)劉志宏:面向移動(dòng)SoC應(yīng)用的
氮化
鎵射頻器件研究進(jìn)展
評(píng)論 ?
2021-12-14 14:44
中電科第十三研究所梁士雄:基于
氮化
鎵肖特基二極管的高性能太赫茲倍頻器
評(píng)論 ?
2021-12-14 14:43
美國(guó)Analog設(shè)備張薇葭:基于直接鍵合工藝液冷散熱技術(shù)的緊湊型
氮化
鎵功率模塊設(shè)計(jì)及其熱學(xué)模型研究
評(píng)論 ?
2021-12-13 18:14
西安電子科技大學(xué)王婷婷:基于金屬
氮化
物陽(yáng)極的凹槽雙陽(yáng)極SBD研究
評(píng)論 ?
2021-12-13 11:44
最新進(jìn)展分享
氮化
鎵功率電子器件論壇成功舉行
評(píng)論 ?
2021-12-13 11:24
鄭州大學(xué)劉玉懷:六方
氮化
硼薄膜在不同襯底上的生長(zhǎng)研究綜述
評(píng)論 ?
2021-12-10 17:11
美國(guó)康奈爾大學(xué)教授Huili Grace XING:對(duì)抗
氮化
鎵和碳化硅的氧化鎵功率器件Ga2O3
評(píng)論 ?
2021-12-10 16:42
晶湛半導(dǎo)體總部大樓正式奠基,標(biāo)志著
氮化
鎵外延材料產(chǎn)業(yè)化基地正式啟航
晶湛半導(dǎo)體
總部大樓
奠基
氮化鎵外延材料
產(chǎn)業(yè)化
基地
評(píng)論 ?
2021-12-02 17:02
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)乘風(fēng)破浪,誰(shuí)將會(huì)傲立潮頭?
第三代半導(dǎo)體
氮化鎵
碳化硅
GaN
襯底
Micro-LED
COB
Mini
COB
評(píng)論 ?
2021-11-30 21:05
IFWS& SSLCHINA 2021前瞻:
氮化
鎵功率器件論壇最新日程出爐
評(píng)論 ?
2021-11-29 11:09
IFWS& SSLCHINA 2021前瞻:
氮化
物半導(dǎo)體襯底與外延技術(shù)論壇最新日程出爐
評(píng)論 ?
2021-11-27 18:56
環(huán)旭電子宣布投資
氮化
鎵系統(tǒng)有限公司 加碼功率電子戰(zhàn)略
評(píng)論 ?
2021-11-25 16:05
IFWS 2021前瞻:中國(guó)電科首席科學(xué)家馮志紅將出席射頻電子器件與應(yīng)用論壇
氮化鎵
肖特基二極管
太赫茲倍
頻器
馮志紅
中國(guó)電科
評(píng)論 ?
2021-11-22 16:04
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