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羅姆:新一代半導體的氮化鎵將在2022年春季之前量產(chǎn)

日期:2022-02-16 來源:集微網(wǎng)閱讀:250
核心提示:據(jù)日經(jīng)亞洲評論2月11日報道:羅姆將在2022年春季之前開始量產(chǎn)被視為新一代半導體的氮化鎵(GaN)半導體。這是能提高供電和控制效
據(jù)日經(jīng)亞洲評論2月11日報道:羅姆將在2022年春季之前開始量產(chǎn)被視為新一代半導體的氮化鎵(GaN)半導體。這是能提高供電和控制效率的“功率半導體”,據(jù)稱和此前的硅半導體相比,新產(chǎn)品能把電流切換時的損耗減少6成。羅姆將在日本濱松市的工廠建設(shè)生產(chǎn)設(shè)備,首先面向5G基站等供貨。
 
羅姆將量產(chǎn)能承受150伏電壓的產(chǎn)品,用于數(shù)據(jù)中心和通信基站。在2021年9月,已經(jīng)啟動樣品供貨。新產(chǎn)品采取在硅晶圓之上形成氮化鎵層的結(jié)構(gòu),包括濱松市工廠在內(nèi),羅姆將在海內(nèi)外各基地進行生產(chǎn)。
羅姆力爭在2025財年(截至2026年3月)之前,使半導體元件業(yè)務(wù)的營業(yè)收入達到目前的1.5倍,增至2100億日元規(guī)模。
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