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華虹宏力“一種嵌入式肖特基MOSFET制作方法”專(zhuān)利公布

杭州鎵仁半導(dǎo)體申請(qǐng)氧化鎵單晶襯底拋光片劃片方法專(zhuān)利，減少切割道周邊晶片解理、崩裂和微裂紋等缺陷的產(chǎn)生

江蘇集芯申請(qǐng)大尺寸碳化硅晶體生長(zhǎng)坩堝及生長(zhǎng)裝置專(zhuān)利，保證晶體中心位置和外側(cè)邊緣的生長(zhǎng)速率相一致

長(zhǎng)電科技“腔體式封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法”專(zhuān)利獲授權(quán)

武漢新芯取得清洗裝置及半導(dǎo)體制造設(shè)備專(zhuān)利，去除晶圓邊緣殘留物避免影響后續(xù)工藝

和其光電“用于光纖傳感器封裝的高精密多維調(diào)節(jié)對(duì)位系統(tǒng)及方法”專(zhuān)利獲授權(quán)

長(zhǎng)電科技“腔體式封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法”專(zhuān)利獲授權(quán)

中科飛測(cè)“光束整形系統(tǒng)”專(zhuān)利公布

格蘭菲申請(qǐng)功率半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專(zhuān)利，有利于終端區(qū)面積縮小

通富微電“半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)的控制方法及半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)”專(zhuān)利公布

廈門(mén)三安集成電路申請(qǐng)射頻功率放大器相關(guān)專(zhuān)利

忱芯科技申請(qǐng)?zhí)蓟韫β拾雽?dǎo)體器件的驅(qū)動(dòng)板和測(cè)試方法專(zhuān)利

芯聯(lián)集成“外延設(shè)備”專(zhuān)利獲授權(quán)

上海壁仞科技取得封裝結(jié)構(gòu)專(zhuān)利，提高散熱性能

長(zhǎng)宇科技取得一項(xiàng)外延生長(zhǎng)基盤(pán)用高均質(zhì)性特種石墨材料的制備方法專(zhuān)利，能夠保持產(chǎn)品制備的穩(wěn)定性

晶合集成申請(qǐng)一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法及動(dòng)態(tài)調(diào)整系統(tǒng)專(zhuān)利，提高半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的良率

揚(yáng)杰科技申請(qǐng)一種多導(dǎo)電溝道的平面柵 MOSFET 及制備方法專(zhuān)利，降低平面柵垂直導(dǎo)電 MOSFET 導(dǎo)通電阻

龍騰股份取得 SGT-MOSFET 半導(dǎo)體器件制備方法相關(guān)專(zhuān)利，避免出現(xiàn)第一氧化層過(guò)薄

浙江奧首材料科技申請(qǐng)一種用于半導(dǎo)體化合物光刻膠的剝離液專(zhuān)利，減少剝離液中的腐蝕

芯源微獲得發(fā)明專(zhuān)利授權(quán)：“晶圓搬運(yùn)裝置及晶圓搬運(yùn)方法”

芯導(dǎo)科技申請(qǐng)一種 T 型溝槽柵碳化硅 MOSFET 器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專(zhuān)利，提高了柵極可靠性

揚(yáng)杰科技申請(qǐng)“一種提高可靠性能力的碳化硅二極管及其制備方法”專(zhuān)利，提高器件的高壓 H3TRB 的可靠性

上海積塔半導(dǎo)體申請(qǐng)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)相關(guān)專(zhuān)利，避免因相鄰膜層刻蝕選擇比過(guò)大形成底切結(jié)構(gòu)

智芯微“光刻膠均勻覆蓋晶圓表面的仿真方法”專(zhuān)利公布

士蘭微“MEMS微鏡及其制備方法”專(zhuān)利獲授權(quán)

福建平潭瑞謙智能科技取得一種用于半導(dǎo)體模塊封裝的視覺(jué)檢測(cè)設(shè)備專(zhuān)利

河北同光半導(dǎo)體取得SiC專(zhuān)利，實(shí)現(xiàn)將源于生長(zhǎng)區(qū)石墨件腐蝕引起的包裹物分布控制在晶體邊緣

士蘭微“功率封裝結(jié)構(gòu)及其引線框”專(zhuān)利獲授權(quán)

揚(yáng)杰科技申請(qǐng)一種改善雙極退化的碳化硅 MOSFET 器件及制備方法的專(zhuān)利

盛合晶微半導(dǎo)體（江陰）申請(qǐng) 3D 垂直互連封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法專(zhuān)利，實(shí)現(xiàn)高密度封裝

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