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華羿微電取得一種寬 SOA 屏蔽柵 MOSFET 器件及制備方法專利，提升器件整體的 SOA

江蘇能華微取得 GaN 肖特基二極管相關專利，有效提高了 GaN 肖特基二極管的性能

中圖科技申請一種高深度微結構圖形化半導體襯底及其制備方法專利

西安奕斯偉材料申請用于外延設備的處理方法專利

蘇州科陽半導體取得晶圓封裝相關專利

武漢凡谷獲得實用新型專利授權：“天線振子及天線”

瀚天天成“一種降低碳化硅外延片生長缺陷的方法及碳化硅襯底”專利獲授權

蘇州晶湛半導體取得半導體結構及其形成方法專利，提高半導體外延層的性能

武漢凡谷取得用于兩端面形狀不同的桿類部件的正反向識別輸送裝置專利

河北博威集成電路取得集成 SBD 的碳化硅 MOSFET 器件及其制備方法專利

河北同光半導體取得超高真空碳化硅原料合成爐系統專利

積塔半導體“基于TDDB優(yōu)化的MOSFET器件及其制備方法”專利公布

福建泓光半導體材料取得一種光刻膠自動過濾裝置專利，提高工作效率

北方華創(chuàng)“碳化硅晶體生長裝置”專利公布

利普思半導體“一種功率模塊結構”專利公布

捷捷微電取得降低開關損耗的分離柵MOSFET器件及其制造方法專利，降低了開關損耗

豪緯集團申請一種基于微納陣列結構 GaN 基光電子芯片的制備方法專利，有效提高微納結構中有源層的發(fā)光效率

粵芯半導體“一種半導體器件中的互連金屬的沉積方法”專利獲授權

粵芯半導體“一種半導體器件中的互連金屬的沉積方法”專利獲授權

華羿微電“新型功率MOSFET器件及其制備方法”專利獲授權

華羿微電“一種低柵極電荷屏蔽柵MOSFET器件及其制作方法”專利獲授權

華羿微電申請高性能 MOSFET 功率器件外延設計結構專利，降低功率器件制造成本

芯聯集成“溝槽型功率器件結構及其制造方法”專利公布

華光光電申請一種大功率半導體激光器晶圓P面圖形化電鍍金的方法專利

派恩杰“集成ESD的SiC功率MOSFET器件及制備方法”專利獲授權

芯聚能“功率模塊外殼”專利獲授權

憶芯科技“支持SR-IOV的NVMe控制器及方法”專利獲授權

芯聯集成“半導體器件的制備方法及半導體器件”專利獲授權

中欣晶圓“12寸退火片的制造方法”專利公布

揚杰科技申請降低柵極電容的 SiCMOSFET 及制備方法專利，降低 SiCMOSFET 柵極電容

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