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英諾賽科“含有硅摻雜氮化鋁層的半導體器件及其制造方法”專利獲授權

中芯集成-U 申請 MEMS 器件及其制備方法專利，避免大量自由電荷堆積在振膜中

芯聚能“碳化硅MOSFET器件及其制備方法”專利公布

英諾賽科在ITC初步裁決中成功駁回EPC 508專利的全部權利要求

清純半導體“半導體功率器件及其制備方法”專利公布

芯聚能“碳化硅MOSFET器件及其制備方法”專利公布

銀河微電申請SiCMOSFET板級封裝優(yōu)化設計方法專利，設計效率高

晶盛機電取得晶圓形貌測量方法及設備專利

三安半導體“氮化鎵功率器件的制備方法、氮化鎵功率器件”專利公布

芯聚能 “功率模塊的封裝方法、裝置和功率模塊”專利獲授權

北京大學申請金剛石基氮化物半導體異質結構制備方法專利，能夠得到高質量且低熱阻的金剛石基氮化物半導體異質結構

新微半導體“一種HEMT器件的柵極、HEMT器件及其制備方法”專利獲授權

長光華芯申請高功率半導體激光芯片性能評估及結構優(yōu)化方法專利，有效提高評估結果準確度

北京大學申請多溝道GaN基HEMT專利，降低導通電阻進而降低損耗

斯達半導取得功率模塊專利，增強功率半導體模塊的使用壽命

晶合集成申請半導體專利，能提高半導體器件的穩(wěn)定性和平衡性

萊特光電申請含氮化合物及有機電致發(fā)光器件和電子裝置專利

北京大學申請多溝道GaN基HEMT專利，降低導通電阻進而降低損耗

北京大學取得AlGaN基深紫外發(fā)光二極管器件結構及其制備方法專利，顯著提升器件的光輸出功率

捷捷微電子“一種帶有超結結構的屏蔽柵IGBT”專利公布

鍇威特獲得發(fā)明專利授權：“一種新型寬禁帶功率半導體器件及其制作方法”

大連理工大學“氮化鎵氣體傳感器及其制備方法、應用”專利公布

廣電計量申請SiCMOSFET體二極管雙極退化試驗方法及裝置專利，提高了老化效率，加速了雙極退化

清華大學申請半導體裝置的制備方法、半導體裝置和電子設備專利

北京大學申請p溝道氮化鎵異質結晶體管及其制備方法專利，實現電流密度的增加

睿創(chuàng)微納獲得實用新型專利授權：“一種紅外探測器芯片晶圓及紅外探測器”

宏微科技取得電動汽車用IGBT或MOSFET版圖結構專利，IGBT或MOSFET的芯片尺寸可大大減小

北京大學申請長波長InGaN基發(fā)光二極管專利，有利于提高發(fā)光多量子阱中的銦并入

華為公司申請半導體器件及其制備方法專利，降低半導體器件的功率損耗

長鑫存儲“半導體結構及其形成方法、存儲器”專利公布

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