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英特爾宣布擴(kuò)容英特爾成都封裝測試基地
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2024-10-28 10:28
一文解開遠(yuǎn)山氮化鎵功率器件實(shí)現(xiàn)耐高壓的秘密
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2024-10-28 10:25
鎵仁半導(dǎo)體成功制備VB法(非銥坩堝)2英寸氧化鎵單晶
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2024-10-27 22:32
尼康官宣旗下首款半導(dǎo)體后端工藝用光刻機(jī)
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2024-10-25 17:09
華海清科“驅(qū)動機(jī)構(gòu)的保濕控制方法、晶圓清洗裝置、存儲介質(zhì)”專利公布
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2024-10-25 11:01
北方華創(chuàng)“一種進(jìn)氣管的清洗方法及半導(dǎo)體工藝設(shè)備”專利公布
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2024-10-25 10:54
精測電子收購芯盛智能11.93%股權(quán) 發(fā)力存儲測試裝備領(lǐng)域
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2024-10-25 09:37
英飛凌推出CoolSiC?肖特基二極管2000V,直流母線電壓最高可達(dá)1500 VDC, 效率更高,設(shè)計(jì)更簡單
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2024-10-24 17:14
中國電科原副總經(jīng)理何文忠被逮捕
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2024-10-24 14:45
Wolfspeed擱置在德國建半導(dǎo)體工廠的計(jì)劃
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2024-10-24 10:31
上海華虹宏力申請接觸孔自對準(zhǔn)的MOSFET制造方法專利
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2024-10-24 10:03
廣東氣派科技申請 MOSFET 的封裝結(jié)構(gòu)專利,采用封裝結(jié)構(gòu)得到的 MOSFET 散熱性能佳
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2024-10-24 10:02
富特科技:已實(shí)現(xiàn)SiC半導(dǎo)體器件在產(chǎn)品中的量產(chǎn)應(yīng)用,且應(yīng)用技術(shù)已相對成熟
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2024-10-24 09:24
華潤微“一種LIGBT器件及其制備方法”專利公布
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2024-10-24 09:13
英特爾將在日本新建芯片研發(fā)中心
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2024-10-23 17:35
采埃孚與Wolfspeed芯片項(xiàng)目或告吹 德國工業(yè)復(fù)蘇再受打擊
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2024-10-23 14:17
首期規(guī)模120億元,武漢“江城基金”聚焦泛半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
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2024-10-22 19:48
東風(fēng)汽車已完成3款車規(guī)級芯片流片
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2024-10-22 18:02
Infinera獲美國《芯片法案》9300萬美元資助
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2024-10-22 09:42
多家
企業(yè)
將匯聚深圳,共商電機(jī)新趨勢!
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2024-10-22 05:38
京東方“襯底基板、顯示基板以及光探測基板”專利獲授權(quán)
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2024-10-21 16:56
昂瑞微“一種芯片及其UserID檢測電路”專利獲授權(quán)
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2024-10-21 16:52
華虹宏力“一種嵌入式肖特基MOSFET制作方法”專利公布
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2024-10-21 16:50
杭州鎵仁半導(dǎo)體申請氧化鎵單晶襯底拋光片劃片方法專利,減少切割道周邊晶片解理、崩裂和微裂紋等缺陷的產(chǎn)生
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2024-10-21 10:26
江蘇集芯申請大尺寸碳化硅晶體生長坩堝及生長裝置專利,保證晶體中心位置和外側(cè)邊緣的生長速率相一致
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2024-10-21 10:06
東風(fēng)汽車已完成3款車規(guī)級芯片流片
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2024-10-21 09:58
遠(yuǎn)山半導(dǎo)體發(fā)布新一代高壓氮化鎵功率器件
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2024-10-20 18:47
國產(chǎn)芯片!紅旗發(fā)布了首臺1700V超高壓碳化硅功率模塊樣品
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2024-10-18 16:54
長電科技“腔體式封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法”專利獲授權(quán)
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2024-10-18 16:18
三星解散LED業(yè)務(wù),但仍繼續(xù)研發(fā)Micro LED
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2024-10-18 11:14
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