據(jù)媒體報道，日本國立產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所（AIST）將與英特爾合作，且投資約1000億日元（約合7億美元），在日本興建最先進的半導體研發(fā)中心，預計于2027年開始營運。

此前就有消息傳出，稱英特爾將與日AIST在日本建立芯片研發(fā)基地，新設施將在三到五年內(nèi)建成，并配備極紫外線光刻（EUV）設備。設備制造商和材料公司將付費使用該設施進行原型設計和測試。據(jù)介紹，這將是日本第一個行業(yè)成員能夠共同使用極紫外光刻設備的中心。