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派恩杰“一種碳化硅晶圓襯底的制備方法及碳化硅晶圓襯底”專利公布

天域半導(dǎo)體向港交所遞交上市申請(qǐng)

華為申請(qǐng)?zhí)蓟枰r底制備方法專利，使碳化硅襯底內(nèi)部應(yīng)力分布均勻

唐晶量子化合物半導(dǎo)體外延片研發(fā)和生產(chǎn)項(xiàng)目竣工投產(chǎn)

總投資12億！晶益通半導(dǎo)體項(xiàng)目封頂

5億！這一激光項(xiàng)目年產(chǎn)1億顆激光芯片

3億元！又一半導(dǎo)體項(xiàng)目正式簽約！

鄭州勢壘取得用于金剛石生長的 MPCVD 裝置專利，能有效隔離外界空氣維持真空工作環(huán)境

廣東中圖半導(dǎo)體申請(qǐng)高一致性圖形化襯底制備方法專利，解決圖形化襯底均一性降低問題

萬國半導(dǎo)體申請(qǐng)用于功率 MOSFET 的凹陷型多晶硅 ESD 二極管專利，保護(hù)功率晶體管免受高電壓 ESD 事件影響

總投資3億元！合肥新站高新區(qū)新增一半導(dǎo)體項(xiàng)目，明年開工建設(shè)

創(chuàng)銳光譜獲近億元Pre-A輪融資

東方晶源榮獲2025 IC風(fēng)云榜“年度領(lǐng)軍企業(yè)獎(jiǎng)”

上海瑞華晟申請(qǐng)SiC/SiC復(fù)合材料制備方法專利，提升材料抗氧化性

南京集芯光電取得一種氮化鎵生長加熱爐專利，解決氮化鎵采取和附著問題，提高產(chǎn)量

蘇州立琻半導(dǎo)體申請(qǐng)p型AlGaN材料及其制備等專利，提高了p型AlGaN材料的空穴濃度

3.5億！一半導(dǎo)體項(xiàng)目在皖開工

烽火通信5G承載應(yīng)用及數(shù)字經(jīng)濟(jì)研發(fā)生產(chǎn)基地項(xiàng)目（一期）一標(biāo)段全面封頂

光迅科技高端光電子器件產(chǎn)業(yè)基地一期達(dá)產(chǎn)

總投資1.2億湖州奕富半導(dǎo)體研磨裝備國產(chǎn)化項(xiàng)目簽約，

玻色量子、希姆半導(dǎo)體等簽約入駐電子城南京未來產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新基地

用AI鏈接芯世界，此芯科技2024生態(tài)大會(huì)完美收官

環(huán)球晶圓獲芯片法案4.06億美元補(bǔ)貼，將建設(shè)美國首座大批量300毫米硅晶圓工廠

上海積塔半導(dǎo)體申請(qǐng)檢測晶圓位置的專利，能夠確保后續(xù)晶圓環(huán)切等工藝順利進(jìn)行

浙江睿熙申請(qǐng) VCSEL 集成晶圓及其制造方法專利，實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)別集成

森國科申請(qǐng) MOSFET 結(jié)構(gòu)相關(guān)專利，降低飽和電流

長飛先進(jìn)武漢碳化硅基地設(shè)備進(jìn)場

上海燁映微電子申請(qǐng) GaN 晶體管與柵極驅(qū)動(dòng)器合封專利，實(shí)現(xiàn)高頻能力

中科飛測第1000臺(tái)集成電路質(zhì)量控制設(shè)備出機(jī)

杭州芯邁半導(dǎo)體技術(shù)申請(qǐng)一種功率開關(guān)器件專利，提高了器件的功率密度

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