國家知識產(chǎn)權局信息顯示，上海瑞華晟新材料有限公司申請一項名為“一種SiC/SiC復合材料的制備方法及其復合材料”的專利，公開號CN 119143505 A，申請日期為2024年11月。

專利摘要顯示，本發(fā)明涉及一種SiC/SiC復合材料的制備方法，其包括如下步驟：S1，在SiC纖維上形成單層或多層界面；S2，提供包括稀土硅酸鹽的浸漬漿料，將形成界面后的纖維浸沒在浸漬漿料中真空浸漬，升溫固化使得漿料固著，升溫裂解去除有機物同時形成多孔結構得到具有多孔基體的SiC/SiC復合材料；以及S3，通過聚合物前驅體浸漬裂解法生成SiC進行基體致密化處理。本發(fā)明還涉及一種復合材料，其通過上述制備方法得到。根據(jù)本發(fā)明的SiC/SiC復合材料的制備方法，僅通過簡單的漿料浸漬工藝改性復合材料基體，工藝簡單，成本低，可以提升材料抗氧化性，同時降低反應熱應力對材料的負面影響。