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湖南三安半導(dǎo)體與賽晶半導(dǎo)體簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議

南芯新建先進(jìn)半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目開工

SEMI-e深圳國(guó)際半導(dǎo)體展暨2025集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新展盛大開幕

開幕倒計(jì)時(shí)60天！即刻注冊(cè)IFWS&SSLCHINA 2025，搶占第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展制高點(diǎn)！

聚看云AI視覺系統(tǒng)亮相SEMI-e深圳半導(dǎo)體博覽會(huì)，引領(lǐng)LED晶圓缺陷檢測(cè)新變革

2025云南晶體大會(huì)前瞻|中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所徐馳：從氣體源到器件：面向下一代信息技術(shù)的硅-鍺-錫類半導(dǎo)體全流程研究

2025云南晶體大會(huì)前瞻|同光半導(dǎo)體王?。禾魬?zhàn)與機(jī)遇并存 -- 碳化硅材料市場(chǎng)發(fā)展現(xiàn)狀及展望

2025（前灣）第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展大會(huì)暨芯片器件及應(yīng)用項(xiàng)目路演活動(dòng)即將舉辦

會(huì)議通知 | 2025（前灣）第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展大會(huì)

總投資35億元，奧松半導(dǎo)體8英寸MEMS特色芯片IDM產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目通線投產(chǎn)

2025云南晶體大會(huì)前瞻|廣東工業(yè)大學(xué)張紫輝：GaN功率半導(dǎo)體器件仿真建模與制備研究

2025云南晶體大會(huì)前瞻|中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所張韻：鎵體系半導(dǎo)體材料與集成電路發(fā)展展望

2025云南晶體大會(huì)前瞻|中電科第四十八研究所謝添樂：寬禁帶化合物半導(dǎo)體外延關(guān)鍵裝備解決方案

2025云南晶體大會(huì)前瞻|云南大學(xué)楊杰：III-V族和IV族半導(dǎo)體晶片及其外延材料的缺陷溯源分析

2025云南晶體大會(huì)前瞻|鑫耀半導(dǎo)體韋華：VGF法磷化銦熱場(chǎng)優(yōu)化控制對(duì)單晶缺陷形成的影響

突破12英寸！科友半導(dǎo)體成功制備12英寸碳化硅晶體

總投資3億元韓國(guó)半導(dǎo)體晶圓載具項(xiàng)目落戶海門經(jīng)開區(qū)

2025云南晶體大會(huì)前瞻|西安電子科技大學(xué)寧?kù)o：超寬禁帶半導(dǎo)體范德華異質(zhì)結(jié)構(gòu)及器件研究

星鑰半導(dǎo)體8英寸Micro-LED芯片中試線在光谷通線

晶飛半導(dǎo)體：12英寸碳化硅晶圓激光剝離技術(shù)取得新突破！

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協(xié)議投資近20億元 5個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目簽約落戶成都雙流

Science Advances：南京大學(xué)聯(lián)合團(tuán)隊(duì)突破外延襯底限制，實(shí)現(xiàn)非晶襯底上高質(zhì)量半導(dǎo)體薄膜外延生長(zhǎng)

通富微電半導(dǎo)體封裝材料項(xiàng)目落戶市北高新區(qū)

國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備商中嘉微視完成近億元A輪融資

鎵仁半導(dǎo)體8英寸氧化鎵襯底質(zhì)量檢測(cè)結(jié)果揭曉，國(guó)際領(lǐng)先！

深圳大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體功率器件劉新科研究員團(tuán)隊(duì)：通過PEALD-GaO?界面工程實(shí)現(xiàn)高性能垂直氮化鎵MOS電容器

格棋化合物半導(dǎo)體宣布將進(jìn)軍大尺寸碳化硅布局

惠然微電子賦能謀發(fā)展，攜手共筑半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新生態(tài)

重慶新陵微6寸功率半導(dǎo)體廠房及配套設(shè)施項(xiàng)目10月完工

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