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2025云南晶體大會(huì)前瞻|中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所徐馳:從氣體源到器件:面向下一代信息技術(shù)的硅-鍺-錫類半導(dǎo)體全流程研究

日期:2025-09-11 閱讀:456
核心提示:9月26-28日,“2025新一代半導(dǎo)體晶體材料技術(shù)及應(yīng)用大會(huì)”將于云南昆明舉辦。屆時(shí),中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員徐馳將受邀出席論壇,并帶來(lái)《從氣體源到器件:面向下一代信息技術(shù)的硅-鍺-錫類半導(dǎo)體全流程研究》的主題報(bào)告,敬請(qǐng)關(guān)注!

頭圖

 9月26-28日,“2025新一代半導(dǎo)體晶體材料技術(shù)及應(yīng)用大會(huì)”將于云南昆明舉辦。屆時(shí),中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員徐馳將受邀出席論壇,并帶來(lái)《從氣體源到器件:面向下一代信息技術(shù)的硅-鍺-錫類半導(dǎo)體全流程研究》的主題報(bào)告,敬請(qǐng)關(guān)注! 

21-徐馳

嘉賓簡(jiǎn)介

徐馳,中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員,博士生導(dǎo)師,2021年入選國(guó)家海外高層次引才計(jì)劃青年項(xiàng)目。本科畢業(yè)于北京大學(xué)物理學(xué)院,博士畢業(yè)于美國(guó)亞利桑那州立大學(xué)。主要研究方向?yàn)楣杌鵌V族半導(dǎo)體材料(鍺、鍺錫合金、硅鍺錫合金等)的氣相異質(zhì)外延、原位摻雜、紅外光電子器件制備及能帶結(jié)構(gòu)、摻雜效應(yīng)、缺陷演化等半導(dǎo)體物理。在國(guó)際知名期刊發(fā)表論文40余篇,其中第一作者、通訊作者論文20余篇,代表性論文發(fā)表于Physical Review Letters、Journal of the American Chemical Society、Chemistry of Materials、ACS Applied Materials & Interfaces、Physical Review B等期刊。谷歌學(xué)術(shù)總引用量1000余次?,F(xiàn)任全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)第七屆氣體分技術(shù)委員會(huì)委員。 

單位簡(jiǎn)介

中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所是國(guó)家級(jí)綜合性研究機(jī)構(gòu),聚焦半導(dǎo)體物理、材料及器件研究,支撐半導(dǎo)體相關(guān)的系統(tǒng)集成與信息技術(shù)創(chuàng)新。光電子材料與器件全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室M課題組,組長(zhǎng)薛春來(lái)研究員,現(xiàn)任中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所副所長(zhǎng),國(guó)家杰青。課題組致力于研究新型硅基IV族半導(dǎo)體材料及相關(guān)材料物理,研制高性能紅外光電器件及面向光通信的硅基光電子模塊、芯片。課題組采用超高真空化學(xué)氣相沉積(UHV-CVD)技術(shù)路線,使用包括高活性氣體源在內(nèi)的多種生長(zhǎng)源,具備硅、鍺、錫類IV族材料的外延與摻雜能力,在硅基光電子領(lǐng)域做出了獨(dú)特的成果。 

報(bào)告前瞻

報(bào)告題目:從氣體源到器件:面向下一代信息技術(shù)的硅-鍺-錫類半導(dǎo)體全流程研究

報(bào)告摘要:鍺與鍺錫合金等IV族半導(dǎo)體材料因其與硅體系良好的兼容性以及優(yōu)越的半導(dǎo)體物理性質(zhì),在微電子學(xué)、紅外光電子學(xué)以及量子科技領(lǐng)域具備廣闊的發(fā)展前景。然而,由于硅、鍺、錫原子之間晶格失配較大,同時(shí)含錫合金體系中錫原子易偏析,IV族半導(dǎo)體材料在硅襯底上的高質(zhì)量異質(zhì)外延始終面臨諸多困難。研究聚焦硅基IV族材料的氣相異質(zhì)外延,覆蓋高活性氣體源-材料外延-器件制備-半導(dǎo)體物理探索的全流程。報(bào)告內(nèi)容涉及基于商用氣體源的硅基IV族材料外延與摻雜、IV族高活性氣體源與摻雜源的開(kāi)發(fā)及利用、硅基IV族光電子器件的研制、硅基IV族材料的半導(dǎo)體物理等研究?jī)?nèi)容。

 附會(huì)議信息: 

【會(huì)議時(shí)間】 2025年9月26-28日

【會(huì)議地點(diǎn)】云南·昆明 

【指導(dǎo)單位】

  第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)

  中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(CSA)

【主辦單位】

  云南臨滄鑫圓鍺業(yè)股份有限公司

 極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)(www.ppsjj.cn)

 半導(dǎo)體照明網(wǎng)(www.china-led.net)

 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

【承辦單位】

云南鑫耀半導(dǎo)體材料有限公司

北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司

【支持單位】

賽迪智庫(kù)集成電路研究所

 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所

 云南大學(xué)

 山東大學(xué)

 云南師范大學(xué)

 昆明理工大學(xué)

 晶體材料全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室

.....

【關(guān)鍵材料】

1、鍺、硅、砷化鎵、磷化銦等半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)與加工關(guān)鍵技術(shù)、器件工藝及應(yīng)用研究;

2、氮化鎵、碳化硅等第三代半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)與加工關(guān)鍵技術(shù)、器件工藝及應(yīng)用研究;

3、氮化鋁、金剛石、氧化鎵等超寬禁帶半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)與加工關(guān)鍵技術(shù)、器件工藝及應(yīng)用研究;

【主要方向】

1.化合物半導(dǎo)體單晶與外延材料

(砷化鎵,磷化銦,氮化鎵,碳化硅,氮化鋁,氧化鎵,氮化硼,藍(lán)寶石,鈮酸鋰等晶體、外延生長(zhǎng)及模擬設(shè)計(jì)等)

2. 硅、高純鍺及鍺基材料

(大硅片生長(zhǎng)及及應(yīng)用,直拉法或區(qū)熔法等單晶生長(zhǎng),原料提純,GeSi、GeSn、GeC 等多元單晶薄膜,切片與機(jī)械拋光,摻雜調(diào)控離子注入等) 

3.高純金屬、原輔料制備及晶體外延生長(zhǎng)與加工關(guān)鍵裝備

(高純前驅(qū)體,高純?cè)噭呒儦怏w,高純粉體, 長(zhǎng)晶爐,MOCVD,  MBE, LPE,PVT 等外延生長(zhǎng)裝備,Mo源,MBE 源, 石墨,切割,研磨及拋光設(shè)備與材料,檢測(cè)設(shè)備等)

4.測(cè)試評(píng)價(jià)及AI for Science

(AI 驅(qū)動(dòng)的測(cè)試評(píng)價(jià)革新, 缺陷工程與摻雜策略、晶體生長(zhǎng)智能調(diào)控、缺陷實(shí)時(shí)檢測(cè)與修復(fù),多尺度建模,綠色制造優(yōu)化 等)

5.光電子器件工藝與應(yīng)用

(發(fā)光二極管,激光二極管,光電探測(cè)器件,太陽(yáng)能電池,照明與顯示,激光雷達(dá),光通信,量子技術(shù)等)

6.通訊射頻器件工藝與應(yīng)用

(功率放大器,低噪聲放大器,濾波器,開(kāi)關(guān)器件,移動(dòng)通信,衛(wèi)星通信,低空飛行器,無(wú)人機(jī),射頻能量等)

7.能源電子及應(yīng)用

(風(fēng)電&光伏&儲(chǔ)能新能源,電動(dòng)汽車,數(shù)據(jù)中心,工業(yè)電源,電機(jī)節(jié)能,軌道交通,智能電網(wǎng),航空航天,工業(yè)控制,變頻家電,消費(fèi)電子,儀器儀表等)

8.綠色廠務(wù)及質(zhì)量管控

(潔凈廠房,高純水制備,化學(xué)品供應(yīng),特氣供應(yīng),廢氣處理及排放,廢液處理,大宗氣體供應(yīng)及質(zhì)量管控等)

【程序委員會(huì)】

大會(huì)主席:惠峰 (云南鍺業(yè))

副主席:陳秀芳(山東大學(xué))、趙璐冰(CASA)

委員:趙德剛(中科院半導(dǎo)體所)、康俊勇(廈門大學(xué))、 徐寶強(qiáng)(昆明理工)、皮孝東(浙江大學(xué))、耿博(CASA)、王軍喜(中科院半導(dǎo)體所)、孫錢(中科院蘇州納米所)、王垚浩(南砂晶圓)、 涂潔磊(云師大)、王宏興(西交大)、彭燕(山東大學(xué))、李強(qiáng)(西交大)、寧?kù)o(西電)、修向前(南京大學(xué))、郭杰(云師大)、王茺(云南大學(xué))、邱峰(云南大學(xué))、楊杰(云南大學(xué))、謝自力(南京大學(xué))、葛振華(昆明理工大學(xué))、田陽(yáng)(昆明理工大學(xué))、魏同波(中科院半導(dǎo)體所)、許福軍(北京大學(xué))、徐明升(山東大學(xué))、孫海定(中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué))、田朋飛(復(fù)旦大學(xué))、劉玉懷(鄭州大學(xué))、朱振(浪潮華光)、楊曉光(中科院半導(dǎo)體所)、高娜(廈門大學(xué))、陳飛宏(云南鍺業(yè))、康森(天通控股)、解楠(賽迪研究院 )、房玉龍(中電科十三所)、鄧家云(昆明理工大學(xué))、李寶學(xué)(云鍺紅外) ......等

【日程安排】

日程

【擬參與單位】

中科院半導(dǎo)體所、鑫耀半導(dǎo)體,南砂晶圓,藍(lán)河科技,天通控股,中電科十三所,南京大學(xué),廈門大學(xué),士佳光子,云鍺紅外,昆明理工大學(xué),西安電子科技大學(xué),中科院物理所,中電科四十八所,陜西源杰,九峰山實(shí)驗(yàn)室,中微公司,矢量集團(tuán),晶盛機(jī)電,連科半導(dǎo)體,晶澳太陽(yáng)能  美科太陽(yáng)能 高景太陽(yáng)能   中研科精密 華夏芯智慧光子,國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾,凝慧電子,晶湛半導(dǎo)體,英諾賽科,中光睿華,連城數(shù)控,云南大學(xué),阿特斯陽(yáng)光電力,山東大學(xué),云南師范大學(xué),中科院技物所,隆基電磁, 晶鎵半導(dǎo)體,南砂晶圓、西安聚能超導(dǎo),蘇州納維,中科院物理所,浙江大學(xué),云南鍺業(yè),通美晶體,三安光電,電子科技大學(xué),深圳平湖實(shí)驗(yàn)室,中科院長(zhǎng)春光機(jī)所,廣東工業(yè)大學(xué),南方科技大學(xué), 隆基綠能,合盛硅業(yè),中光睿華,復(fù)旦大學(xué),中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué), 西安交通大學(xué),江蘇第三代半導(dǎo)體研究院, 光迅科技,鎵和半導(dǎo)體 全磊光電 新易盛  昆明物理所,科友半導(dǎo)體,STR,河北同光,香港科技大學(xué),深圳納設(shè) 中科院蘇州納米所,中科院上海光機(jī)所,哈工大等等 

【活動(dòng)參與】

1、注冊(cè)費(fèi):會(huì)議通票2800元;早鳥(niǎo)票:9月20日前注冊(cè)報(bào)名2600元;(含會(huì)議資料袋,9月27日午餐、晚宴,9月28日午餐等 )。

2、繳費(fèi)方式:

①銀行匯款

開(kāi)戶行:中國(guó)銀行北京科技會(huì)展中心支行

賬 號(hào):336 356 029 261

名 稱:北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司 

②在線注冊(cè)

報(bào)名二維碼

掃碼注冊(cè)報(bào)名

③現(xiàn)場(chǎng)繳費(fèi)(微信+支付寶)

【論文投稿及報(bào)告咨詢】

賈老師:18310277858,jiaxl@casmita.com 

李老師:18601994986,linan@casmita.com 

【參會(huì)參展及商務(wù)合作】

賈先生:18310277858,jiaxl@casmita.com 

張女士:13681329411,zhangww@casmita.com 

【會(huì)議酒店】

酒店名稱:昆明億壕城堡溫德姆至尊酒店

酒店地址:中國(guó)(云南)自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)昆明片區(qū)經(jīng)開(kāi)區(qū)楓丹白露花園

協(xié)議價(jià)格:430元/晚(含雙早)

酒店預(yù)定聯(lián)系: 陳經(jīng)理,13759452505(微信同號(hào))

郵箱:13759452505@139.com

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