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2025云南晶體大會前瞻|云南大學(xué)楊杰:III-V族和IV族半導(dǎo)體晶片及其外延材料的缺陷溯源分析

日期:2025-09-10 閱讀:656
核心提示:9月26-28日,“2025新一代半導(dǎo)體晶體材料技術(shù)及應(yīng)用大會”將于云南昆明舉辦。屆時,云南大學(xué)副研究員、云南臨滄鑫圓鍺業(yè)股份有限公司科技副總經(jīng)理楊杰將受邀出席論壇,并帶來《III-V族和IV族半導(dǎo)體晶片及其外延材料的缺陷溯源分析》的主題報告,敬請關(guān)注!

頭圖

 9月26-28日,“2025新一代半導(dǎo)體晶體材料技術(shù)及應(yīng)用大會”將于云南昆明舉辦。屆時,云南大學(xué)副研究員、云南臨滄鑫圓鍺業(yè)股份有限公司科技副總經(jīng)理楊杰將受邀出席論壇,并帶來《III-V族和IV族半導(dǎo)體晶片及其外延材料的缺陷溯源分析》的主題報告,敬請關(guān)注!

18-楊  杰 

嘉賓簡介

楊杰,云南大學(xué)副研究員,碩導(dǎo),云南省興滇英才青年人才,云南省引進(jìn)高層次人才,云南臨滄鑫圓鍺業(yè)股份有限公司科技副總經(jīng)理。主要從事低維IV族半導(dǎo)體光電材料及大尺寸III-V族晶圓精密加工與缺陷等研究。涉及納米線、量子點、外延薄膜及其低維復(fù)合結(jié)構(gòu)等新材料與器件的構(gòu)建,聚焦大尺寸Ge晶圓、InP、GaAs和銻化物晶圓的精密加工及其外延缺陷分析。承擔(dān)國家自然科學(xué)基金、云南省重大科技專項計劃等項目10余項,在Advanced Functional Materials, Small等高水平期刊發(fā)表研究論文70余篇,授權(quán)專利10余項,獲得云南省自然科學(xué)一等獎1項。 

單位簡介

云南大學(xué)光電子與能源材料團(tuán)隊一直圍繞非制冷探測材料與器件、Si基光電器件、鈣鈦礦太陽電池與探測器、III-V族晶片及紅外探測材料開展研究,形成了一支富有創(chuàng)新力的研究團(tuán)隊,承擔(dān)了多項國家自然科學(xué)基金項目和云南省重大科技專項項目,在光電材料和器件的研究方面分別獲得了云南省科學(xué)技術(shù)獎自然科學(xué)類一、二、三等獎。

云南臨滄鑫圓鍺業(yè)股份有限公司是集鍺礦開采選、精深加工、光電半導(dǎo)體材料研發(fā)及生產(chǎn)為一體的國家高新技術(shù)企業(yè),是亞洲最大、產(chǎn)業(yè)鏈最完整的鍺行業(yè)龍頭企業(yè)。擁有國家級企業(yè)技術(shù)中心、光電半導(dǎo)體材料聯(lián)合實驗室等先進(jìn)研發(fā)平臺,是國家工信部認(rèn)定的“國家技術(shù)創(chuàng)新示范企業(yè)”、第六批制造業(yè)單項冠軍示范企業(yè)。公司擁有以干勇、李樹深、梁駿吾、胡文瑞、葉銘漢、鄭志鵬院士為核心的院士專家團(tuán)隊,建有2個院士工作站、2個專家工作站和博士后工作站。制定國家鍺行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)41項,承擔(dān)國家、省部級重大專項課題10余項,獲得云南省標(biāo)準(zhǔn)化創(chuàng)新貢獻(xiàn)獎、云南省技術(shù)發(fā)明一等獎等各級科技獎勵10余項,獲得授權(quán)專利185件,掌握鍺、砷化鎵、磷化銦等半導(dǎo)體材料加工關(guān)鍵技術(shù)48項。

報告前瞻

報告題目:III-V族和IV族半導(dǎo)體晶片及其外延材料的缺陷溯源分析

報告摘要:半導(dǎo)體晶片及其外延材料是制造射頻器件和光電子器件(如發(fā)光二極管、激光器和太陽電池)的基石材料,然而這些材料并非完美晶體,晶體中的缺陷會成為載流子(電子和空穴)的“陷阱”或“散射中心”,嚴(yán)重劣化器件的性能、可靠性、良品率和壽命。因此,研究半導(dǎo)體材料缺陷的形成機(jī)理、表征方法、控制與抑制技術(shù),是推動半導(dǎo)體技術(shù)進(jìn)步、保障產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展和維護(hù)國家科技競爭力的核心環(huán)節(jié)。本研究圍繞III-V族(GaAs、InP)和IV族(Ge)半導(dǎo)體晶片及其外延材料的缺陷展開溯源分析,指導(dǎo)晶體生長和晶片加工工藝的優(yōu)化,尋找晶片質(zhì)量與外延生長工藝的匹配關(guān)系。GaAs晶體中的G點缺陷由雜質(zhì)引起,GaAs晶片表面的氧化層組分差異導(dǎo)致了其外延薄膜顆粒度的增加。在InP晶片的外延薄膜中觀察到了彗星、邊緣顆粒和麻點缺陷,分別對這三種缺陷的形成原因進(jìn)行了測試分析。Ge晶片的外延薄膜出現(xiàn)了亮點、局部霧面和水紋等缺陷,討論了Ge晶片質(zhì)量與外延缺陷的關(guān)聯(lián)。通過對這些缺陷的深入研究,提高了產(chǎn)品良率,降低了研發(fā)和生產(chǎn)成本,為同類型缺陷問題的解決提供了借鑒。

 附會議信息: 

【會議時間】 2025年9月26-28日

【會議地點】云南·昆明 

【指導(dǎo)單位】

  第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)

  中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(CSA)

【主辦單位】

  云南臨滄鑫圓鍺業(yè)股份有限公司

 極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)(www.ppsjj.cn)

 半導(dǎo)體照明網(wǎng)(www.china-led.net)

 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

【承辦單位】

云南鑫耀半導(dǎo)體材料有限公司

北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司

【支持單位】

賽迪智庫集成電路研究所

 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所

 云南大學(xué)

 山東大學(xué)

 云南師范大學(xué)

 昆明理工大學(xué)

 晶體材料全國重點實驗室

.....

【關(guān)鍵材料】

1、鍺、硅、砷化鎵、磷化銦等半導(dǎo)體材料生長與加工關(guān)鍵技術(shù)、器件工藝及應(yīng)用研究;

2、氮化鎵、碳化硅等第三代半導(dǎo)體材料生長與加工關(guān)鍵技術(shù)、器件工藝及應(yīng)用研究;

3、氮化鋁、金剛石、氧化鎵等超寬禁帶半導(dǎo)體材料生長與加工關(guān)鍵技術(shù)、器件工藝及應(yīng)用研究;

【主要方向】

1.化合物半導(dǎo)體單晶與外延材料

(砷化鎵,磷化銦,氮化鎵,碳化硅,氮化鋁,氧化鎵,氮化硼,藍(lán)寶石,鈮酸鋰等晶體、外延生長及模擬設(shè)計等)

2. 硅、高純鍺及鍺基材料

(大硅片生長及及應(yīng)用,直拉法或區(qū)熔法等單晶生長,原料提純,GeSi、GeSn、GeC 等多元單晶薄膜,切片與機(jī)械拋光,摻雜調(diào)控離子注入等) 

3.高純金屬、原輔料制備及晶體外延生長與加工關(guān)鍵裝備

(高純前驅(qū)體,高純試劑,高純氣體,高純粉體, 長晶爐,MOCVD,  MBE, LPE,PVT 等外延生長裝備,Mo源,MBE 源, 石墨,切割,研磨及拋光設(shè)備與材料,檢測設(shè)備等)

4.測試評價及AI for Science

(AI 驅(qū)動的測試評價革新, 缺陷工程與摻雜策略、晶體生長智能調(diào)控、缺陷實時檢測與修復(fù),多尺度建模,綠色制造優(yōu)化 等)

5.光電子器件工藝與應(yīng)用

(發(fā)光二極管,激光二極管,光電探測器件,太陽能電池,照明與顯示,激光雷達(dá),光通信,量子技術(shù)等)

6.通訊射頻器件工藝與應(yīng)用

(功率放大器,低噪聲放大器,濾波器,開關(guān)器件,移動通信,衛(wèi)星通信,低空飛行器,無人機(jī),射頻能量等)

7.能源電子及應(yīng)用

(風(fēng)電&光伏&儲能新能源,電動汽車,數(shù)據(jù)中心,工業(yè)電源,電機(jī)節(jié)能,軌道交通,智能電網(wǎng),航空航天,工業(yè)控制,變頻家電,消費電子,儀器儀表等)

8.綠色廠務(wù)及質(zhì)量管控

(潔凈廠房,高純水制備,化學(xué)品供應(yīng),特氣供應(yīng),廢氣處理及排放,廢液處理,大宗氣體供應(yīng)及質(zhì)量管控等)

【程序委員會】

大會主席:惠峰 (云南鍺業(yè))

副主席:陳秀芳(山東大學(xué))、趙璐冰(CASA)

委員:趙德剛(中科院半導(dǎo)體所)、康俊勇(廈門大學(xué))、 徐寶強(qiáng)(昆明理工)、皮孝東(浙江大學(xué))、耿博(CASA)、王軍喜(中科院半導(dǎo)體所)、孫錢(中科院蘇州納米所)、王垚浩(南砂晶圓)、 涂潔磊(云師大)、王宏興(西交大)、彭燕(山東大學(xué))、李強(qiáng)(西交大)、寧靜(西電)、修向前(南京大學(xué))、郭杰(云師大)、王茺(云南大學(xué))、邱峰(云南大學(xué))、楊杰(云南大學(xué))、謝自力(南京大學(xué))、葛振華(昆明理工大學(xué))、田陽(昆明理工大學(xué))、魏同波(中科院半導(dǎo)體所)、許福軍(北京大學(xué))、徐明升(山東大學(xué))、孫海定(中國科學(xué)技術(shù)大學(xué))、田朋飛(復(fù)旦大學(xué))、劉玉懷(鄭州大學(xué))、朱振(浪潮華光)、楊曉光(中科院半導(dǎo)體所)、高娜(廈門大學(xué))、陳飛宏(云南鍺業(yè))、康森(天通控股)、解楠(賽迪研究院 )、房玉龍(中電科十三所)、鄧家云(昆明理工大學(xué))、李寶學(xué)(云鍺紅外) ......等

【日程安排】

日程

【擬參與單位】

中科院半導(dǎo)體所、鑫耀半導(dǎo)體,南砂晶圓,藍(lán)河科技,天通控股,中電科十三所,南京大學(xué),廈門大學(xué),士佳光子,云鍺紅外,昆明理工大學(xué),西安電子科技大學(xué),中科院物理所,中電科四十八所,陜西源杰,九峰山實驗室,中微公司,矢量集團(tuán),晶盛機(jī)電,連科半導(dǎo)體,晶澳太陽能  美科太陽能 高景太陽能   中研科精密 華夏芯智慧光子,國聯(lián)萬眾,凝慧電子,晶湛半導(dǎo)體,英諾賽科,中光睿華,連城數(shù)控,云南大學(xué),阿特斯陽光電力,山東大學(xué),云南師范大學(xué),中科院技物所,隆基電磁, 晶鎵半導(dǎo)體,南砂晶圓、西安聚能超導(dǎo),蘇州納維,中科院物理所,浙江大學(xué),云南鍺業(yè),通美晶體,三安光電,電子科技大學(xué),深圳平湖實驗室,中科院長春光機(jī)所,廣東工業(yè)大學(xué),南方科技大學(xué), 隆基綠能,合盛硅業(yè),中光睿華,復(fù)旦大學(xué),中國科學(xué)技術(shù)大學(xué), 西安交通大學(xué),江蘇第三代半導(dǎo)體研究院, 光迅科技,鎵和半導(dǎo)體 全磊光電 新易盛  昆明物理所,科友半導(dǎo)體,STR,河北同光,香港科技大學(xué),深圳納設(shè) 中科院蘇州納米所,中科院上海光機(jī)所,哈工大等等 

【活動參與】

1、注冊費:會議通票2800元;早鳥票:9月20日前注冊報名2600元;(含會議資料袋,9月27日午餐、晚宴,9月28日午餐等 )。

2、繳費方式:

①銀行匯款

開戶行:中國銀行北京科技會展中心支行

賬 號:336 356 029 261

名 稱:北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司 

②在線注冊

報名二維碼

掃碼注冊報名

③現(xiàn)場繳費(微信+支付寶)

【論文投稿及報告咨詢】

賈老師:18310277858,jiaxl@casmita.com 

李老師:18601994986,linan@casmita.com 

【參會參展及商務(wù)合作】

賈先生:18310277858,jiaxl@casmita.com 

張女士:13681329411,zhangww@casmita.com 

【會議酒店】

酒店名稱:昆明億壕城堡溫德姆至尊酒店

酒店地址:中國(云南)自由貿(mào)易試驗區(qū)昆明片區(qū)經(jīng)開區(qū)楓丹白露花園

協(xié)議價格:430元/晚(含雙早)

酒店預(yù)定聯(lián)系: 陳經(jīng)理,13759452505(微信同號)

郵箱:13759452505@139.com

 

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