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報告嘉賓 | 美國國家工程院院士劉紀美：垂直結構氮化鎵功率器件:異質(zhì)與同質(zhì)襯底上的生長

Sky-FET：選區(qū)外延技術助力橫向與垂直溝道融合，重塑GaN橫向功率器件設計范式

安森美官宣：進軍垂直氮化鎵

安森美發(fā)布垂直氮化鎵（GaN）半導體：為人工智能（AI）與電氣化領域帶來突破性技術

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|山東大學劉超：垂直氮化物功率器件

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|名古屋大學特聘教授Tohru Oka：基于SPICE模擬的垂直GaN MOSFET性能預測和損耗分析

深圳大學寬禁帶半導體功率器件劉新科研究員團隊：通過PEALD-GaO?界面工程實現(xiàn)高性能垂直氮化鎵MOS電容器

中國科學院微電子所研發(fā)成功互補單晶硅垂直溝道晶體管（CVFET）

1200V全垂直硅基氮化鎵MOSFET

廣東致能：全球首發(fā)硅基垂直 GaN HEMT 功率器件技術

CSPSD 2025前瞻|中國科學技術大學楊樹：高壓低阻垂直型GaN功率電子器件研究

CSPSD 2025前瞻|山東大學劉超：1.5 kV全垂直GaN-on-Si功率MOSFET

江西譽鴻錦取得亞垂直結構氮化鎵肖特基勢壘二極管及其制造方法專利

長春光機所實現(xiàn)100 fJ/bit超低功耗高速垂直腔面發(fā)射激光器

中國科大楊樹教授和龍世兵教授課題組在垂直型GaN功率晶體管研究方向取得重要進展

新微半導體“垂直腔面發(fā)射激光器的外延結構及其校驗方法”專利公布

武漢發(fā)布人工智能產(chǎn)業(yè)新政，每年補助一批垂直大模型，向中小企業(yè)發(fā)放千萬元“算力券”

許福軍、沈波團隊成功實現(xiàn)垂直注入AlGaN基深紫外發(fā)光器件的晶圓級制備

中科大孫海定iGaN實驗室研究三維垂直集成microLED陣列實現(xiàn)無掩膜深紫外光刻新技術

揚杰科技申請一種多導電溝道的平面柵 MOSFET 及制備方法專利，降低平面柵垂直導電 MOSFET 導通電阻

盛合晶微半導體（江陰）申請 3D 垂直互連封裝結構及其制備方法專利，實現(xiàn)高密度封裝

8英寸碳化硅垂直腔外延設備為什么這么熱？

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CASICON晶體大會前瞻|深圳大學劉新科：低成本垂直氮化鎵功率器件

安森美：從SiC芯片的制造之旅，看垂直整合的競爭優(yōu)勢

西電郝躍院士團隊在超陡垂直晶體管器件研究方面取得重要進展

氮化鎵的新變局垂直整合成為重要目標

新進展│深圳大學劉新科課題組取得基于2D-on-GaN垂直異質(zhì)集成的高性能寬光譜探測器研究新成果

深圳大學劉新科：低成本垂直GaN功率器件

西安電子科技大學游淑珍：面向1200V功率應用的異質(zhì)襯底橫向和垂直GaN器件發(fā)展趨勢

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